Tyyppi | Kuvaus |
Osan tila | Active |
---|---|
FET-tyyppi | P-Channel |
Teknologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tyhjennä lähteen jännite (Vdss) | 8V |
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 3A (Ta) |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs | 19.4 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
Porttilataus (Qg) (enintään) @ Vgs | 6.3nC @ 4.5V |
Vgs (enintään) | -6V |
Syöttökapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 914pF @ 4V |
FET-ominaisuus | - |
Tehohäviö (maks.) | 750mW (Ta) |
Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi | Surface Mount |
Toimittajalaitepaketti | 6-DSBGA |
Pakkaus / kotelo | 6-UFBGA, DSBGA |
RoHS-tila | RoHS yhteensopiva |
---|---|
Kosteuden herkkyystaso (MSL) | Ei sovellettavissa |
Lifecycle Status | Vanhentunut / elämän loppu |
Varastoluokka | Saatavilla |