Tyyppi | Kuvaus |
Osan tila | Active |
---|---|
FET-tyyppi | 2 N-Channel (Half Bridge) |
FET-ominaisuus | Silicon Carbide (SiC) |
Tyhjennä lähteen jännite (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 193A (Tc) |
Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 120A, 20V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.6V @ 6mA (Typ) |
Porttilataus (Qg) (enintään) @ Vgs | 378nC @ 20V |
Syöttökapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 6300pF @ 1000V |
Teho - maks | 925W |
Käyttölämpötila | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi | Chassis Mount |
Pakkaus / kotelo | Module |
Toimittajalaitepaketti | Module |
RoHS-tila | RoHS yhteensopiva |
---|---|
Kosteuden herkkyystaso (MSL) | Ei sovellettavissa |
Lifecycle Status | Vanhentunut / elämän loppu |
Varastoluokka | Saatavilla |