Tyyppi | Kuvaus |
Osan tila | Obsolete |
---|---|
FET-tyyppi | N-Channel |
Teknologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tyhjennä lähteen jännite (Vdss) | 55V |
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 75A (Tc) |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs | 6.2 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Porttilataus (Qg) (enintään) @ Vgs | 108nC @ 5V |
Vgs (enintään) | ±15V |
Syöttökapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 5836pF @ 25V |
FET-ominaisuus | Temperature Sensing Diode |
Tehohäviö (maks.) | 272W (Tc) |
Käyttölämpötila | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Asennustyyppi | Surface Mount |
Toimittajalaitepaketti | SOT-426 |
Pakkaus / kotelo | TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB |
RoHS-tila | RoHS yhteensopiva |
---|---|
Kosteuden herkkyystaso (MSL) | Ei sovellettavissa |
Lifecycle Status | Vanhentunut / elämän loppu |
Varastoluokka | Saatavilla |