Tyyppi | Kuvaus |
Osan tila | Active |
---|---|
FET-tyyppi | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
FET-ominaisuus | Silicon Carbide (SiC) |
Tyhjennä lähteen jännite (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 147A (Tc) |
Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs | 17 mOhm @ 100A, 20V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 20mA (Typ) |
Porttilataus (Qg) (enintään) @ Vgs | 322nC @ 20V |
Syöttökapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 5600pF @ 1000V |
Teho - maks | 625W |
Käyttölämpötila | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi | Chassis Mount |
Pakkaus / kotelo | SP6 |
Toimittajalaitepaketti | SP6-P |
RoHS-tila | RoHS yhteensopiva |
---|---|
Kosteuden herkkyystaso (MSL) | Ei sovellettavissa |
Lifecycle Status | Vanhentunut / elämän loppu |
Varastoluokka | Saatavilla |