Tyyppi | Kuvaus |
Osan tila | Obsolete |
---|---|
FET-tyyppi | N-Channel |
Teknologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tyhjennä lähteen jännite (Vdss) | 1000V |
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 40A (Tc) |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs | 216 mOhm @ 33A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Porttilataus (Qg) (enintään) @ Vgs | 570nC @ 10V |
Vgs (enintään) | ±30V |
Syöttökapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 14800pF @ 25V |
FET-ominaisuus | - |
Tehohäviö (maks.) | 657W (Tc) |
Käyttölämpötila | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi | Chassis Mount |
Toimittajalaitepaketti | SP1 |
Pakkaus / kotelo | SP1 |
RoHS-tila | RoHS yhteensopiva |
---|---|
Kosteuden herkkyystaso (MSL) | Ei sovellettavissa |
Lifecycle Status | Vanhentunut / elämän loppu |
Varastoluokka | Saatavilla |