Tyyppi | Kuvaus |
Osan tila | Not For New Designs |
---|---|
FET-tyyppi | N-Channel |
Teknologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tyhjennä lähteen jännite (Vdss) | 650V |
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 7A (Tc) |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs | 650 mOhm @ 3.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Porttilataus (Qg) (enintään) @ Vgs | 9.2nC @ 10V |
Vgs (enintään) | ±30V |
Syöttökapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 434pF @ 100V |
FET-ominaisuus | - |
Tehohäviö (maks.) | 25W (Tc) |
Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi | Through Hole |
Toimittajalaitepaketti | - |
Pakkaus / kotelo | TO-262-3 Full Pack, I²Pak |
RoHS-tila | RoHS yhteensopiva |
---|---|
Kosteuden herkkyystaso (MSL) | Ei sovellettavissa |
Lifecycle Status | Vanhentunut / elämän loppu |
Varastoluokka | Saatavilla |