| Tyyppi | Kuvaus |
| Osan tila | Obsolete |
|---|---|
| FET-tyyppi | P-Channel |
| Teknologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tyhjennä lähteen jännite (Vdss) | 30V |
| Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 4A (Ta) |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
| Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs | 117 mOhm @ 4A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Porttilataus (Qg) (enintään) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Vgs (enintään) | ±12V |
| Syöttökapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 305pF @ 15V |
| FET-ominaisuus | Schottky Diode (Isolated) |
| Tehohäviö (maks.) | 2.8W (Ta) |
| Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi | Surface Mount |
| Toimittajalaitepaketti | 6-DFN-EP (2x2) |
| Pakkaus / kotelo | 6-WDFN Exposed Pad |
| RoHS-tila | RoHS yhteensopiva |
|---|---|
| Kosteuden herkkyystaso (MSL) | Ei sovellettavissa |
| Lifecycle Status | Vanhentunut / elämän loppu |
| Varastoluokka | Saatavilla |
