Tyyppi | Kuvaus |
Osan tila | Obsolete |
---|---|
FET-tyyppi | - |
Teknologia | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Tyhjennä lähteen jännite (Vdss) | 650V |
Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 16A (Tc) (155°C) |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs | 105 mOhm @ 16A |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Porttilataus (Qg) (enintään) @ Vgs | - |
Vgs (enintään) | - |
Syöttökapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 1534pF @ 35V |
FET-ominaisuus | - |
Tehohäviö (maks.) | 330W (Tc) |
Käyttölämpötila | -55°C ~ 225°C (TJ) |
Asennustyyppi | Surface Mount |
Toimittajalaitepaketti | TO-276 |
Pakkaus / kotelo | TO-276AA |
RoHS-tila | RoHS yhteensopiva |
---|---|
Kosteuden herkkyystaso (MSL) | Ei sovellettavissa |
Lifecycle Status | Vanhentunut / elämän loppu |
Varastoluokka | Saatavilla |