| Tyyppi | Kuvaus |
| Osan tila | Obsolete |
|---|---|
| Diodityyppi | Silicon Carbide Schottky |
| Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.) | 1200V |
| Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) | 8A (DC) |
| Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos | 1.6V @ 2.5A |
| Nopeus | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Käänteinen palautumisaika (trr) | 0ns |
| Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr | 10µA @ 1200V |
| Kapasitanssi @ Vr, F | 237pF @ 1V, 1MHz |
| Asennustyyppi | Through Hole |
| Pakkaus / kotelo | TO-257-3 |
| Toimittajalaitepaketti | TO-257 |
| Käyttölämpötila - risteys | -55°C ~ 250°C |
| RoHS-tila | RoHS yhteensopiva |
|---|---|
| Kosteuden herkkyystaso (MSL) | Ei sovellettavissa |
| Lifecycle Status | Vanhentunut / elämän loppu |
| Varastoluokka | Saatavilla |
