Tunnistusetäisyys: 0.315" (8mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Tulostyyppi: Phototransistor,
Tunnistusetäisyys: 0.472" (12mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 60mA, Tulostyyppi: Phototransistor,
Tunnistusetäisyys: 0.394" (10mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 60mA, Tulostyyppi: Phototransistor,
Tunnistusetäisyys: 0.197" (5mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 100mA, Tulostyyppi: Photodiode,
