Optiset anturit - valokatkaisijat - korttipaikan t

Koti
Optiset anturit - valokatkaisijat - korttipaikan t

Vishay Semiconductor Opto Division

TCUT1800X01

osa: 4766

Tunnistusetäisyys: 0.118" (3mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 25mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 20V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Opto Division

TCST1230

osa: 60074

Tunnistusetäisyys: 0.110" (2.8mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 60mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 70V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Opto Division

TCUT1600X01

osa: 88439

Tunnistusetäisyys: 0.118" (3mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 25mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 20V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Opto Division

TCPT1600X01

osa: 91321

Tunnistusetäisyys: 0.118" (3mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 25mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 20V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Opto Division

TCST2202

osa: 39429

Tunnistusetäisyys: 0.122" (3.1mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 60mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 70V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Opto Division

TCPT1300X01

osa: 110985

Tunnistusetäisyys: 0.118" (3mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 25mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 20V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Opto Division

TCST1300

osa: 35799

Tunnistusetäisyys: 3.1mm, Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 60mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500µA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 70V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Opto Division

TCUT1350X01

osa: 99652

Tunnistusetäisyys: 0.118" (3mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 25mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 20V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Opto Division

TCUT1630X01

osa: 4829

Tunnistusetäisyys: 0.118" (3mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 25mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 20V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Opto Division

TCST2103

osa: 39418

Tunnistusetäisyys: 3.1mm, Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 60mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 4mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 70V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Opto Division

TCST1202

osa: 45781

Tunnistusetäisyys: 0.122" (3.1mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 60mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 70V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Opto Division

TCST1030

osa: 62621

Tunnistusetäisyys: 0.122" (3.1mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 60mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 70V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Opto Division

TCST5250

osa: 40523

Tunnistusetäisyys: 0.106" (2.7mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 60mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 70V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Opto Division

TCST2300

osa: 35047

Tunnistusetäisyys: 0.122" (3.1mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 60mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 70V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Opto Division

TCPT1350X01

osa: 109658

Tunnistusetäisyys: 0.118" (3mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 15mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 20V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Opto Division

TCST1103

osa: 47579

Tunnistusetäisyys: 0.122" (3.1mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 60mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 4mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 70V,

Toivomuslista

Vishay Semiconductor Opto Division

TCUT1300X01

osa: 99768

Tunnistusetäisyys: 0.118" (3mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 25mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 20V,

Toivomuslista

17