Optiset anturit - heijastavat - analoginen lä

OPB609RA

OPB609RA

osa: 2752

Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Tulostyyppi: Phototransistor,

Toivomuslista
OPB745

OPB745

osa: 27707

Tunnistusetäisyys: 0.150" (3.81mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 15V, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 40mA, Tulostyyppi: Photodarlington,

Toivomuslista
OPB700TX

OPB700TX

osa: 320

Tunnistusetäisyys: 0.200" (5.08mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Tulostyyppi: Phototransistor,

Toivomuslista
OPB711

OPB711

osa: 30414

Tunnistusetäisyys: 0.080" (2.03mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 24V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 25mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Tulostyyppi: Phototransistor,

Toivomuslista
OPB609AX

OPB609AX

osa: 2695

Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Tulostyyppi: Phototransistor,

Toivomuslista
OPB70FWZ

OPB70FWZ

osa: 16880

Tunnistusetäisyys: 0.150" (3.81mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 25mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 40mA, Tulostyyppi: Transistor,

Toivomuslista
OPB701

OPB701

osa: 2775

Tunnistusetäisyys: 0.200" (5.08mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 15V, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 100mA, Tulostyyppi: Photodarlington,

Toivomuslista
OPB700TXV

OPB700TXV

osa: 288

Tunnistusetäisyys: 0.200" (5.08mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Tulostyyppi: Phototransistor,

Toivomuslista
OPB730

OPB730

osa: 10232

Tunnistusetäisyys: 0.250" (6.35mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 15V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 25mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Tulostyyppi: Photodarlington,

Toivomuslista
OPB707C

OPB707C

osa: 31623

Tunnistusetäisyys: 0.050" (1.27mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 15V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 125mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Tulostyyppi: Photodarlington,

Toivomuslista
OPB704GWZ

OPB704GWZ

osa: 21055

Tunnistusetäisyys: 0.149" (3.8mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 6mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 40mA, Tulostyyppi: Phototransistor,

Toivomuslista
OPB745W

OPB745W

osa: 2799

Tunnistusetäisyys: 0.150" (3.81mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 15V, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 40mA, Tulostyyppi: Photodarlington,

Toivomuslista
OPB700Z

OPB700Z

osa: 9335

Tunnistusetäisyys: 0.200" (5.08mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 24V, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 100mA, Tulostyyppi: Phototransistor,

Toivomuslista
OPB608B

OPB608B

osa: 51569

Tunnistusetäisyys: 0.050" (1.27mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 25mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Tulostyyppi: Phototransistor,

Toivomuslista
OPB608A

OPB608A

osa: 51248

Tunnistusetäisyys: 0.050" (1.27mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 25mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Tulostyyppi: Phototransistor,

Toivomuslista
OPB607A

OPB607A

osa: 58586

Tunnistusetäisyys: 0.050" (1.27mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 15V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 125mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Tulostyyppi: Photodarlington,

Toivomuslista
OPB701AL

OPB701AL

osa: 4490

Tunnistusetäisyys: 0.200" (5.08mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 15V, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 100mA, Tulostyyppi: Photodarlington,

Toivomuslista
OPB700AL

OPB700AL

osa: 5308

Tunnistusetäisyys: 0.200" (5.08mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 24V, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 100mA, Tulostyyppi: Phototransistor,

Toivomuslista
OPB70CWZ

OPB70CWZ

osa: 4369

Tunnistusetäisyys: 0.150" (3.81mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 25mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 40mA, Tulostyyppi: Transistor,

Toivomuslista
OPB702

OPB702

osa: 28577

Tunnistusetäisyys: 0.150" (3.81mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Tulostyyppi: Phototransistor,

Toivomuslista
OPB740WZ

OPB740WZ

osa: 21977

Tunnistusetäisyys: 0.150" (3.81mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 40mA, Tulostyyppi: Phototransistor,

Toivomuslista
OPB707B

OPB707B

osa: 2721

Tunnistusetäisyys: 0.050" (1.27mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 15V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 125mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Tulostyyppi: Photodarlington,

Toivomuslista
OPB743

OPB743

osa: 35446

Tunnistusetäisyys: 0.150" (3.81mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 40mA, Tulostyyppi: Phototransistor,

Toivomuslista
OPB748WZ

OPB748WZ

osa: 16521

Tunnistusetäisyys: 0.300" (7.62mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 40mA, Tulostyyppi: Transistor, Base-Emitter Resistor,

Toivomuslista
OPB701ALZ

OPB701ALZ

osa: 7477

Tunnistusetäisyys: 0.200" (5.08mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 15V, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 100mA, Tulostyyppi: Photodarlington,

Toivomuslista
OPB606A

OPB606A

osa: 63141

Tunnistusetäisyys: 0.050" (1.27mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 25mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Tulostyyppi: Phototransistor,

Toivomuslista
OPB704WZ

OPB704WZ

osa: 20528

Tunnistusetäisyys: 0.149" (3.8mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 25mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 40mA, Tulostyyppi: Phototransistor,

Toivomuslista
OPB745WZ

OPB745WZ

osa: 18695

Tunnistusetäisyys: 0.150" (3.81mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 15V, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 40mA, Tulostyyppi: Photodarlington,

Toivomuslista
OPB70BWZ

OPB70BWZ

osa: 2782

Tunnistusetäisyys: 0.150" (3.81mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 25mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 40mA, Tulostyyppi: Transistor,

Toivomuslista
OPB606C

OPB606C

osa: 63227

Tunnistusetäisyys: 0.050" (1.27mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 25mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Tulostyyppi: Phototransistor,

Toivomuslista
OPB750N

OPB750N

osa: 17452

Tunnistusetäisyys: 0.220" (5.59mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 24V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Tulostyyppi: Phototransistor,

Toivomuslista
OPB708

OPB708

osa: 33527

Tunnistusetäisyys: 0.150" (3.81mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 40mA, Tulostyyppi: Phototransistor,

Toivomuslista
OPB755N

OPB755N

osa: 2717

Tunnistusetäisyys: 0.220" (5.59mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 24V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Tulostyyppi: Phototransistor,

Toivomuslista
OPB740

OPB740

osa: 37779

Tunnistusetäisyys: 0.150" (3.81mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 40mA, Tulostyyppi: Phototransistor,

Toivomuslista
OPB750T

OPB750T

osa: 17828

Tunnistusetäisyys: 0.220" (5.59mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 24V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Tulostyyppi: Phototransistor,

Toivomuslista
OPB741WZ

OPB741WZ

osa: 19773

Tunnistusetäisyys: 0.150" (3.81mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 40mA, Tulostyyppi: Phototransistor,

Toivomuslista