Vahvistimen tyyppi: J-FET, Piirien lukumäärä: 1, Käännösnopeus: 15V/µs, Gain Bandwidth Product: 4MHz,
Vahvistimen tyyppi: General Purpose, Piirien lukumäärä: 4, Käännösnopeus: 0.5V/µs, Gain Bandwidth Product: 1MHz,
Vahvistimen tyyppi: Current Feedback, Piirien lukumäärä: 2, Tulostyyppi: Differential, Käännösnopeus: 1700V/µs, -3db kaistanleveys: 1.5GHz,
Vahvistimen tyyppi: Current Feedback, Piirien lukumäärä: 3, Käännösnopeus: 4300V/µs, -3db kaistanleveys: 1GHz,
Vahvistimen tyyppi: Voltage Feedback, Piirien lukumäärä: 2, Käännösnopeus: 310V/µs, Gain Bandwidth Product: 290MHz, -3db kaistanleveys: 290MHz,
Vahvistimen tyyppi: Current Feedback, Piirien lukumäärä: 1, Tulostyyppi: Differential, Käännösnopeus: 2300V/µs, -3db kaistanleveys: 900MHz,
Vahvistimen tyyppi: General Purpose, Piirien lukumäärä: 2, Käännösnopeus: 0.047V/µs, Gain Bandwidth Product: 110kHz,
Vahvistimen tyyppi: General Purpose, Piirien lukumäärä: 1, Käännösnopeus: 20V/µs, Gain Bandwidth Product: 55MHz,
Vahvistimen tyyppi: Instrumentation, Piirien lukumäärä: 1, Käännösnopeus: 0.2V/µs, -3db kaistanleveys: 150kHz,
Vahvistimen tyyppi: Voltage Feedback, Piirien lukumäärä: 1, Käännösnopeus: 970V/µs, Gain Bandwidth Product: 350MHz, -3db kaistanleveys: 325MHz,
Vahvistimen tyyppi: Differential, Piirien lukumäärä: 1, Tulostyyppi: Differential, Käännösnopeus: 52V/µs, Gain Bandwidth Product: 225MHz, -3db kaistanleveys: 150MHz,
Vahvistimen tyyppi: Voltage Feedback, Piirien lukumäärä: 2, Käännösnopeus: 100V/µs, -3db kaistanleveys: 100MHz,
Vahvistimen tyyppi: General Purpose, Piirien lukumäärä: 1, Tulostyyppi: Rail-to-Rail, Käännösnopeus: 27V/µs, Gain Bandwidth Product: 80MHz,
Vahvistimen tyyppi: Instrumentation, Piirien lukumäärä: 2, Käännösnopeus: 0.4V/µs, -3db kaistanleveys: 200kHz,
Vahvistimen tyyppi: Voltage Feedback, Piirien lukumäärä: 4, Käännösnopeus: 240V/µs, Gain Bandwidth Product: 250MHz, -3db kaistanleveys: 650MHz,
Vahvistimen tyyppi: Instrumentation, Piirien lukumäärä: 1, Käännösnopeus: 4V/µs, -3db kaistanleveys: 1.3MHz,
Vahvistimen tyyppi: Current Feedback, Piirien lukumäärä: 2, Käännösnopeus: 7000V/µs, Gain Bandwidth Product: 2.2GHz, -3db kaistanleveys: 300MHz,
Vahvistimen tyyppi: Power, Piirien lukumäärä: 2, Käännösnopeus: 1V/µs, Gain Bandwidth Product: 1MHz, -3db kaistanleveys: 1MHz,
Vahvistimen tyyppi: General Purpose, Piirien lukumäärä: 4, Käännösnopeus: 19V/µs, Gain Bandwidth Product: 10MHz,
Vahvistimen tyyppi: J-FET, Piirien lukumäärä: 4, Käännösnopeus: 3.4V/µs, Gain Bandwidth Product: 2MHz,
Vahvistimen tyyppi: General Purpose, Piirien lukumäärä: 4, Tulostyyppi: Rail-to-Rail, Käännösnopeus: 10V/µs, Gain Bandwidth Product: 9MHz,
Vahvistimen tyyppi: Variable Gain, Piirien lukumäärä: 2, Tulostyyppi: Differential, Käännösnopeus: 100V/µs, Gain Bandwidth Product: 50MHz,
Vahvistimen tyyppi: General Purpose, Piirien lukumäärä: 2, Tulostyyppi: Rail-to-Rail, Käännösnopeus: 25V/µs, Gain Bandwidth Product: 9MHz,
Vahvistimen tyyppi: General Purpose, Piirien lukumäärä: 2, Tulostyyppi: Rail-to-Rail, Käännösnopeus: 2.7V/µs, Gain Bandwidth Product: 1.9MHz,
Vahvistimen tyyppi: General Purpose, Piirien lukumäärä: 4, Käännösnopeus: 0.4V/µs, Gain Bandwidth Product: 1MHz,
Vahvistimen tyyppi: Current Feedback, Piirien lukumäärä: 1, Käännösnopeus: 1700V/µs, -3db kaistanleveys: 130MHz,
Vahvistimen tyyppi: General Purpose, Piirien lukumäärä: 2, Tulostyyppi: Rail-to-Rail, Käännösnopeus: 2.5V/µs, Gain Bandwidth Product: 4.7MHz,
Vahvistimen tyyppi: J-FET, Piirien lukumäärä: 1, Käännösnopeus: 12V/µs, Gain Bandwidth Product: 5MHz,
Vahvistimen tyyppi: J-FET, Piirien lukumäärä: 4, Käännösnopeus: 45V/µs, Gain Bandwidth Product: 10MHz,
Vahvistimen tyyppi: General Purpose, Piirien lukumäärä: 2, Tulostyyppi: Rail-to-Rail, Käännösnopeus: 14V/µs, Gain Bandwidth Product: 11MHz,
Vahvistimen tyyppi: General Purpose, Piirien lukumäärä: 4, Tulostyyppi: Rail-to-Rail, Käännösnopeus: 10V/µs, Gain Bandwidth Product: 7MHz,
Vahvistimen tyyppi: General Purpose, Piirien lukumäärä: 2, Käännösnopeus: 10V/µs, Gain Bandwidth Product: 4MHz,
Vahvistimen tyyppi: Voltage Feedback, Piirien lukumäärä: 1, Käännösnopeus: 470V/µs, -3db kaistanleveys: 350MHz,
