Transistorit - FETit, MOSFETit - Single

CSD17310Q5A

CSD17310Q5A

osa: 186196

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 21A (Ta), 100A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 5.1 mOhm @ 20A, 8V,

Toivomuslista
CSD17322Q5A

CSD17322Q5A

osa: 175024

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 87A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 8V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 8.8 mOhm @ 14A, 8V,

Toivomuslista
CSD25301W1015

CSD25301W1015

osa: 1570

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 2.2A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 1A, 4.5V,

Toivomuslista
CSD18511Q5AT

CSD18511Q5AT

osa: 72702

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 159A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 24A, 4.5V,

Toivomuslista
CSD16410Q5A

CSD16410Q5A

osa: 168761

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 25V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 16A (Ta), 59A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 17A, 10V,

Toivomuslista
TPS1100DR

TPS1100DR

osa: 110675

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 15V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 1.6A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 1.5A, 10V,

Toivomuslista
CSD16409Q3

CSD16409Q3

osa: 183562

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 25V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 15A (Ta), 60A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 8.2 mOhm @ 17A, 10V,

Toivomuslista
CSD16413Q5A

CSD16413Q5A

osa: 126395

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 25V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 24A (Ta), 100A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 24A, 10V,

Toivomuslista
CSD16342Q5A

CSD16342Q5A

osa: 160946

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 25V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 20A, 8V,

Toivomuslista
CSD13302WT

CSD13302WT

osa: 172294

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 12V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 1.6A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 17.1 mOhm @ 1A, 4.5V,

Toivomuslista
CSD18512Q5B

CSD18512Q5B

osa: 87999

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 211A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.6 mOhm @ 30A, 10V,

Toivomuslista
CSD16412Q5A

CSD16412Q5A

osa: 122662

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 25V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 14A (Ta), 52A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 10A, 10V,

Toivomuslista
CSD19533KCS

CSD19533KCS

osa: 40073

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 100A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 55A, 10V,

Toivomuslista
CSD25202W15

CSD25202W15

osa: 127847

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 2A, 4.5V,

Toivomuslista
CSD17318Q2

CSD17318Q2

osa: 9956

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 25A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 15.1 mOhm @ 8A, 8V,

Toivomuslista
CSD13306W

CSD13306W

osa: 148806

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 12V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 10.2 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Toivomuslista
CSD22204W

CSD22204W

osa: 144639

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 8V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 9.9 mOhm @ 2A, 4.5V,

Toivomuslista
CSD25501F3

CSD25501F3

osa: 9957

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3.6A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 76 mOhm @ 400mA, 4.5V,

Toivomuslista
CSD16322Q5C

CSD16322Q5C

osa: 132465

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 25V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 21A (Ta), 97A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 8V,

Toivomuslista
CSD15571Q2

CSD15571Q2

osa: 136906

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 22A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 5A, 10V,

Toivomuslista
CSD23203W

CSD23203W

osa: 167971

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 8V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 19.4 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Toivomuslista
CSD16407Q5C

CSD16407Q5C

osa: 82138

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 25V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 31A (Ta), 100A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 25A, 10V,

Toivomuslista
CSD13303W1015

CSD13303W1015

osa: 183258

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 12V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 31A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Toivomuslista
CSD13302W

CSD13302W

osa: 105207

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 12V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 1.6A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 17.1 mOhm @ 1A, 4.5V,

Toivomuslista
CSD17318Q2T

CSD17318Q2T

osa: 9963

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 25A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 15.1 mOhm @ 8A, 8V,

Toivomuslista
CSD25211W1015

CSD25211W1015

osa: 143770

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3.2A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Toivomuslista
CSD16408Q5C

CSD16408Q5C

osa: 106348

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 25V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 22A (Ta), 113A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 25A, 10V,

Toivomuslista
CSD17313Q2T

CSD17313Q2T

osa: 181581

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 8V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4A, 8V,

Toivomuslista
CSD25303W1015

CSD25303W1015

osa: 1058

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Toivomuslista
CSD18533Q5AT

CSD18533Q5AT

osa: 71045

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 17A (Ta), 100A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 5.9 mOhm @ 18A, 10V,

Toivomuslista
CSD18541F5T

CSD18541F5T

osa: 159917

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 2.2A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 1A, 10V,

Toivomuslista
CSD25201W15

CSD25201W15

osa: 921

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 2A, 4.5V,

Toivomuslista
CSD18504KCS

CSD18504KCS

osa: 47320

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 53A (Ta), 100A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 40A, 10V,

Toivomuslista
CSD18537NKCS

CSD18537NKCS

osa: 53545

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 25A, 10V,

Toivomuslista
TPS1101D

TPS1101D

osa: 25491

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 15V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 2.3A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.5A, 10V,

Toivomuslista
CSD25302Q2

CSD25302Q2

osa: 884

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 5A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 49 mOhm @ 3A, 4.5V,

Toivomuslista