Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Optiset anturit - heijastavat - analoginen lä

  • Koti
  •  
  • Optiset anturit - heijastavat - analoginen lä
GP2S40JJ000F
Sharp Microelectronics

GP2S40JJ000F

osa: 4316

Tunnistusetäisyys: 0.138" (3.5mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 35V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Tulostyyppi: Phototransistor,

Toivomuslista
GP2S27T
Sharp Microelectronics

GP2S27T

osa: 2691

Tunnistusetäisyys: 0.031" (0.8mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 35V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Tulostyyppi: Phototransistor,

Toivomuslista
GP2L20R
Sharp Microelectronics

GP2L20R

osa: 2748

Tunnistusetäisyys: 0.512" (13mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 35V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Tulostyyppi: Photodarlington,

Toivomuslista
GP2S24J0000F
Sharp Microelectronics

GP2S24J0000F

osa: 4326

Tunnistusetäisyys: 0.028" (0.7mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 35V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Tulostyyppi: Phototransistor,

Toivomuslista
GP2S40J0000F
Sharp Microelectronics

GP2S40J0000F

osa: 2712

Tunnistusetäisyys: 0.138" (3.5mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 35V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Tulostyyppi: Phototransistor,

Toivomuslista
GP2L24ABJ00F
Sharp Microelectronics

GP2L24ABJ00F

osa: 2712

Tunnistusetäisyys: 0.028" (0.7mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 35V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Tulostyyppi: Photodarlington,

Toivomuslista
GP2L26
Sharp Microelectronics

GP2L26

osa: 2756

Tunnistusetäisyys: 0.031" (0.8mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 35V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Tulostyyppi: Photodarlington,

Toivomuslista
GP2S24BCJ00F
Sharp Microelectronics

GP2S24BCJ00F

osa: 2737

Tunnistusetäisyys: 0.028" (0.7mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 35V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Tulostyyppi: Phototransistor,

Toivomuslista
GP2S27T2J00F
Sharp Microelectronics

GP2S27T2J00F

osa: 4345

Tunnistusetäisyys: 0.028" (0.7mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 35V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Tulostyyppi: Phototransistor,

Toivomuslista
GP2L24
Sharp Microelectronics

GP2L24

osa: 4363

Tunnistusetäisyys: 0.031" (0.8mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 35V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Tulostyyppi: Photodarlington,

Toivomuslista
GP2S24ABJ00F
Sharp Microelectronics

GP2S24ABJ00F

osa: 2735

Tunnistusetäisyys: 0.028" (0.7mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 35V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Tulostyyppi: Phototransistor,

Toivomuslista
GP2L24J0000F
Sharp Microelectronics

GP2L24J0000F

osa: 2726

Tunnistusetäisyys: 0.028" (0.7mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 35V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Tulostyyppi: Photodarlington,

Toivomuslista
GP2S27T6J00F
Sharp Microelectronics

GP2S27T6J00F

osa: 2679

Tunnistusetäisyys: 0.028" (0.7mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 35V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Tulostyyppi: Phototransistor,

Toivomuslista
GP2S27TJ000F
Sharp Microelectronics

GP2S27TJ000F

osa: 2724

Tunnistusetäisyys: 0.028" (0.7mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 35V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Tulostyyppi: Phototransistor,

Toivomuslista
GP2S24CJ000F
Sharp Microelectronics

GP2S24CJ000F

osa: 2724

Tunnistusetäisyys: 0.028" (0.7mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 35V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Tulostyyppi: Phototransistor,

Toivomuslista
GP2S60A
Sharp Microelectronics

GP2S60A

osa: 2778

Tunnistusetäisyys: 0.028" (0.7mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 35V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Tulostyyppi: Phototransistor,

Toivomuslista
GP2S27T3J00F
Sharp Microelectronics

GP2S27T3J00F

osa: 2727

Tunnistusetäisyys: 0.028" (0.7mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 35V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Tulostyyppi: Phototransistor,

Toivomuslista
GP2S24
Sharp Microelectronics

GP2S24

osa: 4283

Tunnistusetäisyys: 0.031" (0.8mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 35V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Tulostyyppi: Phototransistor,

Toivomuslista
GP2L24BCJ00F
Sharp Microelectronics

GP2L24BCJ00F

osa: 2763

Tunnistusetäisyys: 0.028" (0.7mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 35V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Tulostyyppi: Photodarlington,

Toivomuslista
GP2L24BJ00F
Sharp Microelectronics

GP2L24BJ00F

osa: 2769

Tunnistusetäisyys: 0.028" (0.7mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 35V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Tulostyyppi: Photodarlington,

Toivomuslista
GP2S28
Sharp Microelectronics

GP2S28

osa: 2729

Tunnistusetäisyys: 0.551" (14mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 35V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 60mA, Tulostyyppi: Phototransistor,

Toivomuslista
GP2L24CJ00F
Sharp Microelectronics

GP2L24CJ00F

osa: 2708

Tunnistusetäisyys: 0.028" (0.7mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 35V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Tulostyyppi: Photodarlington,

Toivomuslista
GP2S24BJ000F
Sharp Microelectronics

GP2S24BJ000F

osa: 2701

Tunnistusetäisyys: 0.028" (0.7mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 35V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Tulostyyppi: Phototransistor,

Toivomuslista
GP2S40
Sharp Microelectronics

GP2S40

osa: 2756

Tunnistusetäisyys: 0.256" (6.5mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 35V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Tulostyyppi: Phototransistor,

Toivomuslista