Transistorit - FETit, MOSFETit - Single | Erilliset puolijohdetuotteet | 13

RJL6020DPK-00#T0

osa: 1614

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 30A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 15A, 10V,

Toivomuslista

Renesas Electronics America

RJK0703DPN-E0#T2

osa: 23714

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 75V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 70A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 6.7 mOhm @ 35A, 10V,

Toivomuslista

Renesas Electronics America

NP90N04MUK-S18-AY

osa: 1531

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 90A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 45A, 10V,

Toivomuslista

Renesas Electronics America

RJK0659DPA-00#J5A

osa: 1522

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 30A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 15A, 10V,

Toivomuslista

Renesas Electronics America

RJK1002DPN-E0#T2

osa: 1570

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 70A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 7.6 mOhm @ 35A, 10V,

Toivomuslista

Renesas Electronics America

RJK5012DPE-00#J3

osa: 6170

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 500V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 620 mOhm @ 6A, 10V,

Toivomuslista

Renesas Electronics America

RJK4518DPK-00#T0

osa: 1581

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 450V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 39A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 19.5A, 10V,

Toivomuslista

Renesas Electronics America

NP110N04PUK-E1-AY

osa: 1561

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 110A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.4 mOhm @ 55A, 10V,

Toivomuslista

Renesas Electronics America

RJK6020DPK-00#T0

osa: 1607

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 32A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 175 mOhm @ 16A, 10V,

Toivomuslista

Renesas Electronics America

RJL5012DPE-00#J3

osa: 1595

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 500V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 6A, 10V,

Toivomuslista

Renesas Electronics America

RJK1557DPA-00#J0

osa: 49519

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 150V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 25A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 12.5A, 10V,

Toivomuslista

Renesas Electronics America

NP109N055PUJ-E1B-AY

osa: 1125

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 55V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 110A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 55A, 10V,

Toivomuslista

Renesas Electronics America

NP80N04PLG-E1B-AY

osa: 1195

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 80A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 40A, 10V,

Toivomuslista

Renesas Electronics America

NP110N04PUG-E1-AY

osa: 1150

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 110A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.8 mOhm @ 55A, 10V,

Toivomuslista

Renesas Electronics America

NP90N04VUG-E1-AY

osa: 1170

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 90A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 45A, 10V,

Toivomuslista

Renesas Electronics America

NP23N06YDG-E1-AY

osa: 1156

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 23A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 11.5A, 10V,

Toivomuslista

Renesas Electronics America

NP180N04TUG-E1-AY

osa: 1136

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 180A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.5 mOhm @ 90A, 10V,

Toivomuslista

Renesas Electronics America

RJK0854DPB-00#J5

osa: 1155

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 80V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 25A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 12.5A, 10V,

Toivomuslista

Renesas Electronics America

NP75P03YDG-E1-AY

osa: 75939

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 6.2 mOhm @ 37.5A, 10V,

Toivomuslista

Renesas Electronics America

NP100P06PDG-E1-AY

osa: 1180

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 50A, 10V,

Toivomuslista

Renesas Electronics America

NP83P04PDG-E1-AY

osa: 1200

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 83A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 5.3 mOhm @ 41.5A, 10V,

Toivomuslista

Renesas Electronics America

RJK1055DPB-00#J5

osa: 1150

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 23A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 11.5A, 10V,

Toivomuslista

Renesas Electronics America

NP90N06VLG-E1-AY

osa: 1202

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 90A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 7.8 mOhm @ 45A, 10V,

Toivomuslista

Renesas Electronics America

RJK1052DPB-00#J5

osa: 1196

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 10A, 10V,

Toivomuslista

Renesas Electronics America

NP22N055SHE-E1-AY

osa: 6193

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 55V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 22A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 11A, 10V,

Toivomuslista

Renesas Electronics America

NP55N055SDG-E1-AY

osa: 1189

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 55V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 55A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 28A, 10V,

Toivomuslista

Renesas Electronics America

NP88N055KUG-E1-AY

osa: 1183

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 55V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 88A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 44A, 10V,

Toivomuslista

Renesas Electronics America

NP88N075MUE-S18-AY

osa: 1147

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 75V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 88A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 44A, 10V,

Toivomuslista

Renesas Electronics America

RJK0852DPB-00#J5

osa: 1237

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 80V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 30A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 15A, 10V,

Toivomuslista

Renesas Electronics America

RJK0654DPB-00#J5

osa: 1178

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 30A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 8.3 mOhm @ 15A, 10V,

Toivomuslista

Renesas Electronics America

NP15P04SLG-E1-AY

osa: 1187

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 15A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 7.5A, 10V,

Toivomuslista

Renesas Electronics America

NP84N075KUE-E1-AY

osa: 6206

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 75V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 84A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 12.5 mOhm @ 42A, 10V,

Toivomuslista

Renesas Electronics America

NP55N055SUG-E1-AY

osa: 1149

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 55V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 55A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 28A, 10V,

Toivomuslista

Renesas Electronics America

RJK0856DPB-00#J5

osa: 61667

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 80V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 35A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 8.9 mOhm @ 17.5A, 10V,

Toivomuslista

Renesas Electronics America

NP60N03KUG-E1-AY

osa: 1201

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 30A, 10V,

Toivomuslista

Renesas Electronics America

NP20P06SLG-E1-AY

osa: 1143

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 48 mOhm @ 10A, 10V,

Toivomuslista