Lähtökokoonpano: Half Bridge, Sovellukset: General Purpose, Käyttöliittymä: On/Off, Kuormitustyyppi: Inductive, Teknologia: Power MOSFET, Rds päällä (tyyppi): 1.53 Ohm,
Lähtökokoonpano: Half Bridge, Sovellukset: General Purpose, Käyttöliittymä: On/Off, Kuormitustyyppi: Inductive, Teknologia: Power MOSFET, Rds päällä (tyyppi): 400 mOhm,
Lähtökokoonpano: Half Bridge, Sovellukset: General Purpose, Käyttöliittymä: On/Off, Kuormitustyyppi: Inductive, Teknologia: Power MOSFET, Rds päällä (tyyppi): 1 Ohm,
Lähtökokoonpano: Half Bridge, Sovellukset: General Purpose, Käyttöliittymä: On/Off, Kuormitustyyppi: Inductive, Teknologia: Power MOSFET, Rds päällä (tyyppi): 740 mOhm,
Lähtökokoonpano: Half Bridge, Sovellukset: General Purpose, Käyttöliittymä: On/Off, Kuormitustyyppi: Inductive, Teknologia: Power MOSFET, Rds päällä (tyyppi): 600 mOhm,
Lähtökokoonpano: Half Bridge, Sovellukset: General Purpose, Käyttöliittymä: On/Off, Kuormitustyyppi: Inductive, Teknologia: Power MOSFET, Rds päällä (tyyppi): 260 mOhm,
