Muisti

S-93C46BD0I-D8S1G

osa: 2327

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 1Kb (64 x 16), Kellotaajuus: 2MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 8ms,

S-93C56BD0I-D8S1G

osa: 9290

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 2Kb (128 x 16), Kellotaajuus: 2MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 8ms,

S-93L66AD0I-J8T1G

osa: 2501

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 4Kb (256 x 16), Kellotaajuus: 2MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 8ms,

S-24CS08ADP-1G

osa: 2312

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 8Kb (1K x 8), Kellotaajuus: 400kHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 10ms,

S-93L56AR0I-J8T1G

osa: 2479

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 2Kb (128 x 16), Kellotaajuus: 2MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 8ms,

S-93L76AD0I-J8T1G

osa: 2543

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 8Kb (512 x 16), Kellotaajuus: 2MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 10ms,

S-24CS08AFJ-TB-1G

osa: 2203

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 8Kb (1K x 8), Kellotaajuus: 400kHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 10ms,

S-93C66BD0I-D8S1G

osa: 2383

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 4Kb (256 x 16), Kellotaajuus: 2MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 8ms,

S-93L46AD0I-T8T1G

osa: 2447

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 1Kb (64 x 16), Kellotaajuus: 2MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 8ms,

S-93L56AD0I-T8T1G

osa: 2441

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 2Kb (128 x 16), Kellotaajuus: 2MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 8ms,

S-24CS02ADP-G

osa: 2220

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 2Kb (256 x 8), Kellotaajuus: 400kHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 10ms,

S-93L46AD0I-J8T1G

osa: 2402

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 1Kb (64 x 16), Kellotaajuus: 2MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 8ms,

S-24CS16A0I-D8S1G

osa: 9275

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 16Kb (2K x 8), Kellotaajuus: 400kHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 10ms,

S-93L66AR0I-J8T1G

osa: 2459

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 4Kb (256 x 16), Kellotaajuus: 2MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 8ms,

S-93L76AD0I-T8T1G

osa: 2525

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 8Kb (512 x 16), Kellotaajuus: 2MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 10ms,

S-93L66AD0I-T8T1G

osa: 2551

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 4Kb (256 x 16), Kellotaajuus: 2MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 8ms,

S-24CS04ADP-G

osa: 2236

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 4Kb (512 x 8), Kellotaajuus: 400kHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 10ms,

S-24CS08AFT-TB-1G

osa: 2294

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 8Kb (1K x 8), Kellotaajuus: 400kHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 10ms,

S-93L56AD0I-J8T1G

osa: 2480

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 2Kb (128 x 16), Kellotaajuus: 2MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 8ms,

S-24CS01AFJ-TB-G

osa: 146828

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 1Kb (128 x 8), Kellotaajuus: 400kHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 10ms,

S-93L46AR0I-J8T1G

osa: 2457

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 1Kb (64 x 16), Kellotaajuus: 2MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 8ms,

S-25CM01A0I-J8T1U4

osa: 44030

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 1Mb (128K x 8), Kellotaajuus: 10MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,

S-24CS64A0I-T8T1G

osa: 58090

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 64Kb (8K x 8), Kellotaajuus: 400kHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 10ms,

S-24CM01CI-J8T1U4

osa: 45598

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 1Mb (128K x 8), Kellotaajuus: 1MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,

S-24CS64A0I-J8T1G

osa: 57173

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 64Kb (8K x 8), Kellotaajuus: 400kHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 10ms,

S-34TS04A0B-A8T3U5

osa: 63967

S-25C256A0I-J8T1U4

osa: 108881

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 256Kb (32K x 8), Kellotaajuus: 10MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,

S-24C256CI-J8T1U4

osa: 123656

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 256Kb (32K x 8), Kellotaajuus: 1MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,

S-25C512A0I-J8T1U4

osa: 69994

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 512Kb (64K x 8), Kellotaajuus: 10MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,

S-24C512CI-J8T1U4

osa: 75458

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 512Kb (64K x 8), Kellotaajuus: 1MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,

S-24CS16A0I-T8T1G

osa: 66379

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 16Kb (2K x 8), Kellotaajuus: 400kHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 10ms,

S-25C2560I-J8T1U4

osa: 108900

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 256Kb (32K x 8), Kellotaajuus: 10MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,

S-24C512CI-T8T1U4

osa: 75414

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 512Kb (64K x 8), Kellotaajuus: 1MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,

S-24C256CI-T8T1U4

osa: 123634

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 256Kb (32K x 8), Kellotaajuus: 1MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,

S-24CS02AFJ-TB-G

osa: 110151

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 2Kb (256 x 8), Kellotaajuus: 400kHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 10ms,

S-24CS04AFT-TB-G

osa: 93003

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 4Kb (512 x 8), Kellotaajuus: 400kHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 10ms,