Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Optiset anturit - valokatkaisijat - korttipaikan t

  • Koti
  •  
  • Optiset anturit - valokatkaisijat - korttipaikan t
EE-SA107-P2
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SA107-P2

osa: 12472

Tunnistusetäisyys: 0.142" (3.6mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,

Toivomuslista
EE-SH3-CS
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SH3-CS

osa: 18915

Tunnistusetäisyys: 0.134" (3.4mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,

Toivomuslista
EE-SX1096-W11
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1096-W11

osa: 5780

Tunnistusetäisyys: 0.134" (3.4mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,

Toivomuslista
EE-SX199
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX199

osa: 22006

Tunnistusetäisyys: 0.118" (3mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,

Toivomuslista
EE-SH3-G
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SH3-G

osa: 17615

Tunnistusetäisyys: 0.134" (3.4mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,

Toivomuslista
EE-SX1088
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1088

osa: 19068

Tunnistusetäisyys: 0.134" (3.4mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,

Toivomuslista
EE-SJ8-B
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SJ8-B

osa: 11701

Tunnistusetäisyys: 0.315" (8mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,

Toivomuslista
EE-SV3-D
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SV3-D

osa: 9679

Tunnistusetäisyys: 0.134" (3.4mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,

Toivomuslista
EE-SX1042
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1042

osa: 21566

Tunnistusetäisyys: 0.197" (5mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,

Toivomuslista
EE-SX1235A-P2
Omron Electronics Inc-EMC Div

EE-SX1235A-P2

osa: 15630

Tunnistusetäisyys: 0.197" (5mm), Tunnistusmenetelmä: Transmissive, Lähtökokoonpano: Phototransistor, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V,

Toivomuslista