Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - esijän

  • Koti
  •  
  • Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - esijän
PBLS1504V,115
NXP USA Inc.

PBLS1504V,115

osa: 1472

Transistorin tyyppi: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, 15V, Vastus - pohja (R1): 22 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 22 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V,

Toivomuslista
PBLS4001V,115
NXP USA Inc.

PBLS4001V,115

osa: 1384

Transistorin tyyppi: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, 40V, Vastus - pohja (R1): 2.2 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 2.2 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V,

Toivomuslista
PBLS4002V,115
NXP USA Inc.

PBLS4002V,115

osa: 1498

Transistorin tyyppi: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, 40V, Vastus - pohja (R1): 4.7 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 4.7 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V,

Toivomuslista
PBLS2003S,115
NXP USA Inc.

PBLS2003S,115

osa: 1383

Transistorin tyyppi: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, 3A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, 20V, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 10 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 150 @ 2A, 2V,

Toivomuslista
PBLS4005V,115
NXP USA Inc.

PBLS4005V,115

osa: 1428

Transistorin tyyppi: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, 40V, Vastus - pohja (R1): 47 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V,

Toivomuslista
PBLS4003V,115
NXP USA Inc.

PBLS4003V,115

osa: 1458

Transistorin tyyppi: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, 40V, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 10 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA. 2V,

Toivomuslista
PBLS2002S,115
NXP USA Inc.

PBLS2002S,115

osa: 1539

Transistorin tyyppi: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, 3A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, 20V, Vastus - pohja (R1): 4.7 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 4.7 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V / 150 @ 2A, 2V,

Toivomuslista
PBLS2001S,115
NXP USA Inc.

PBLS2001S,115

osa: 1488

Transistorin tyyppi: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, 3A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, 20V, Vastus - pohja (R1): 2.2 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 2.2 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V / 150 @ 2A, 2V,

Toivomuslista
PUML1,115
NXP USA Inc.

PUML1,115

osa: 1500

Transistorin tyyppi: 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, 200mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 10 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 210 @ 2mA, 10V,

Toivomuslista
PBLS4004V,115
NXP USA Inc.

PBLS4004V,115

osa: 1464

Transistorin tyyppi: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, 40V, Vastus - pohja (R1): 22 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 22 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V,

Toivomuslista
PBLS1503V,115
NXP USA Inc.

PBLS1503V,115

osa: 1388

Transistorin tyyppi: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, 15V, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 10 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 150 @ 100mA. 2V,

Toivomuslista
PBLS1502V,115
NXP USA Inc.

PBLS1502V,115

osa: 1399

Transistorin tyyppi: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, 15V, Vastus - pohja (R1): 4.7 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 4.7 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V,

Toivomuslista