Transistorit - FETit, MOSFETit - Taulukot | Erilliset puolijohdetuotteet | 4

PMDXB550UNEZ

osa: 183268

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 590mA, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 670 mOhm @ 590mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA,

Toivomuslista

Nexperia USA Inc.

NX3008NBKV,115

osa: 163831

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 400mA, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 350mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA,

Toivomuslista

Nexperia USA Inc.

NX138AKSF

osa: 110186

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 170mA (Ta), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 4.5 Ohm @ 170mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Toivomuslista

Nexperia USA Inc.

NX1029X,115

osa: 166606

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, 50V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 330mA, 170mA, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 100mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA,

Toivomuslista

Nexperia USA Inc.

PMGD780SN,115

osa: 171536

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 490mA, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 920 mOhm @ 300mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Toivomuslista

Nexperia USA Inc.

NX7002BKXBZ

osa: 151844

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 260mA, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 2.8 Ohm @ 200mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA,

Toivomuslista

Nexperia USA Inc.

PMDPB70XP,115

osa: 189968

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 2.9A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 87 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Toivomuslista

Nexperia USA Inc.

NX3008NBKSH

osa: 194648

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 350mA (Ta), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 350mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA,

Toivomuslista

Nexperia USA Inc.

NX6020CAKSX

osa: 2501

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, 50V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 170mA (Ta), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 4.5 Ohm @ 100mA, 10V, 7.5 Ohm @ 100mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA,

Toivomuslista

Nexperia USA Inc.

PMDPB58UPE,115

osa: 173425

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3.6A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 67 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA,

Toivomuslista

Nexperia USA Inc.

PMDPB55XP,115

osa: 147136

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3.4A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 3.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA,

Toivomuslista

Nexperia USA Inc.

PMDXB950UPEZ

osa: 193079

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 500mA, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 500mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA,

Toivomuslista

Nexperia USA Inc.

PMDT290UNE,115

osa: 177961

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 800mA, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA,

Toivomuslista

Nexperia USA Inc.

PMDPB70XPE,115

osa: 137499

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 79 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA,

Toivomuslista

Nexperia USA Inc.

NX3008PBKV,115

osa: 177076

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 220mA, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 4.1 Ohm @ 200mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA,

Toivomuslista