Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - esijän | Erilliset puolijohdetuotteet | 7

PUMB20,115

osa: 103619

Transistorin tyyppi: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 2.2 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 2.2 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V,

Toivomuslista

Nexperia USA Inc.

PQMH11Z

osa: 153896

Transistorin tyyppi: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 10 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Toivomuslista

Nexperia USA Inc.

PBLS2024D,115

osa: 134800

Transistorin tyyppi: 1 PNP Pre-Biased, 1 PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, 1.8A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, 20V, Vastus - pohja (R1): 22 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 22 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V / 200 @ 1A, 2V,

Toivomuslista

Nexperia USA Inc.

PUMH30,115

osa: 187014

Transistorin tyyppi: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 2.2 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V,

Toivomuslista

Nexperia USA Inc.

PBLS2022D,115

osa: 154208

Transistorin tyyppi: 1 PNP Pre-Biased, 1 PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, 1.8A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, 20V, Vastus - pohja (R1): 4.7 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 4.7 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V / 200 @ 1A, 2V,

Toivomuslista

Nexperia USA Inc.

PUMD9,135

osa: 141605

Transistorin tyyppi: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V,

Toivomuslista

Nexperia USA Inc.

PUMD2,125

osa: 161403

Transistorin tyyppi: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 22 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 22 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

Toivomuslista

Nexperia USA Inc.

PEMH30,315

osa: 142391

Transistorin tyyppi: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 2.2 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V,

Toivomuslista

Nexperia USA Inc.

PUMD12,135

osa: 192589

Transistorin tyyppi: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 47 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

Toivomuslista

Nexperia USA Inc.

PUMD3,165

osa: 154947

Transistorin tyyppi: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 10 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Toivomuslista

Nexperia USA Inc.

PUMB4,115

osa: 164327

Transistorin tyyppi: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V,

Toivomuslista

Nexperia USA Inc.

PUMD48,165

osa: 173177

Transistorin tyyppi: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 47 kOhms, 2.2 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V / 100 @ 10mA, 5V,

Toivomuslista

Nexperia USA Inc.

PUMD6,135

osa: 188048

Transistorin tyyppi: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 4.7 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 5V,

Toivomuslista

Nexperia USA Inc.

PEMD6,115

osa: 131920

Transistorin tyyppi: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 4.7 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V,

Toivomuslista

Nexperia USA Inc.

PQMH13Z

osa: 176610

Transistorin tyyppi: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 4.7 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

Toivomuslista

Nexperia USA Inc.

PUMB17,115

osa: 188634

Transistorin tyyppi: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 47 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 22 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

Toivomuslista

Nexperia USA Inc.

PEMB30,115

osa: 138435

Transistorin tyyppi: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 2.2 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V,

Toivomuslista

Nexperia USA Inc.

PEMH30,115

osa: 190451

Transistorin tyyppi: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 2.2 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V,

Toivomuslista

Nexperia USA Inc.

PQMD12Z

osa: 192753

Transistorin tyyppi: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 47 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

Toivomuslista

Nexperia USA Inc.

PEMB4,115

osa: 117423

Transistorin tyyppi: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V,

Toivomuslista

Nexperia USA Inc.

PEMD14,115

osa: 113653

Transistorin tyyppi: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Toivomuslista

Nexperia USA Inc.

PEMB2,115

osa: 121198

Transistorin tyyppi: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 47 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

Toivomuslista

Nexperia USA Inc.

PUMH10,115

osa: 139980

Transistorin tyyppi: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 2.2 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

Toivomuslista

Nexperia USA Inc.

PEMB15,115

osa: 105891

Transistorin tyyppi: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 4.7 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 4.7 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Toivomuslista

Nexperia USA Inc.

PEMB17,115

osa: 142913

Transistorin tyyppi: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 47 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 22 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

Toivomuslista

Nexperia USA Inc.

PEMH9,315

osa: 108025

Transistorin tyyppi: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V,

Toivomuslista

Nexperia USA Inc.

PEMB9,315

osa: 192096

Transistorin tyyppi: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V,

Toivomuslista

Nexperia USA Inc.

PUMH10Z

osa: 112

Transistorin tyyppi: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 2.2 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

Toivomuslista

Nexperia USA Inc.

PEMD20,115

osa: 176742

Transistorin tyyppi: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 2.2 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 2.2 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V,

Toivomuslista

Nexperia USA Inc.

PEMD24,115

osa: 194314

Transistorin tyyppi: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 100 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 100 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

Toivomuslista

Nexperia USA Inc.

PEMB16,115

osa: 128392

Transistorin tyyppi: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 22 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

Toivomuslista

Nexperia USA Inc.

PEMH1,115

osa: 195613

Transistorin tyyppi: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 22 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 22 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

Toivomuslista

Nexperia USA Inc.

PEMB1,115

osa: 118852

Transistorin tyyppi: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 22 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 22 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

Toivomuslista

Nexperia USA Inc.

PUMH19,115

osa: 122298

Transistorin tyyppi: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 22 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Toivomuslista

Nexperia USA Inc.

PUMB14,115

osa: 197885

Transistorin tyyppi: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Toivomuslista

Nexperia USA Inc.

PUMD10,125

osa: 119729

Transistorin tyyppi: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 2.2 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

Toivomuslista