Transistorit - FETit, MOSFETit - Single

Koti
Transistorit - FETit, MOSFETit - Single

BUK761R7-40E,118

Nexperia USA Inc.

BUK761R7-40E,118

osa: 64866

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.6 mOhm @ 25A, 10V,

Toivomuslista

Nexperia USA Inc.

BUK7880-55/CUF

osa: 137946

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 55V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 5A, 10V,

Toivomuslista

BUK7107-55ATE,118

Nexperia USA Inc.

BUK7107-55ATE,118

osa: 8606

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 55V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 50A, 10V,

Toivomuslista

BUK661R6-30C,118

Nexperia USA Inc.

BUK661R6-30C,118

osa: 63697

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.6 mOhm @ 25A, 10V,

Toivomuslista

BUK9628-55A,118

Nexperia USA Inc.

BUK9628-55A,118

osa: 154200

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 55V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 42A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 15A, 10V,

Toivomuslista

Nexperia USA Inc.

BUK6D43-60EX

osa: 24356

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 43 mOhm @ 5A, 10V,

Toivomuslista

BUK7Y18-75B,115

Nexperia USA Inc.

BUK7Y18-75B,115

osa: 197618

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 75V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 49A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 20A, 10V,

Toivomuslista

Nexperia USA Inc.

BUK6D120-60PX

osa: 24343

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta), 8A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 3A, 10V,

Toivomuslista

Nexperia USA Inc.

BUK9840-55/CUX

osa: 139579

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 55V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta), 10.7A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 5A, 5V,

Toivomuslista

BUK9Y104-100B,115

Nexperia USA Inc.

BUK9Y104-100B,115

osa: 164195

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 14.8A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 99 mOhm @ 5A, 10V,

Toivomuslista

Nexperia USA Inc.

BUK9M14-40EX

osa: 179377

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 44A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 15A, 10V,

Toivomuslista

BUK964R8-60E,118

Nexperia USA Inc.

BUK964R8-60E,118

osa: 72266

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 25A, 10V,

Toivomuslista

BUK765R0-100E,118

Nexperia USA Inc.

BUK765R0-100E,118

osa: 47693

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 25A, 10V,

Toivomuslista

BUK6610-75C,118

Nexperia USA Inc.

BUK6610-75C,118

osa: 112806

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 75V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 78A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 25A, 10V,

Toivomuslista

BUK763R9-60E,118

Nexperia USA Inc.

BUK763R9-60E,118

osa: 64641

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 25A, 10V,

Toivomuslista

BUK9230-100B,118

Nexperia USA Inc.

BUK9230-100B,118

osa: 59587

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 47A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 25A, 10V,

Toivomuslista

BUK9275-100A,118

Nexperia USA Inc.

BUK9275-100A,118

osa: 172654

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 21.7A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 10A, 10V,

Toivomuslista

BUK6217-55C,118

Nexperia USA Inc.

BUK6217-55C,118

osa: 159020

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 55V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 44A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 12A, 10V,

Toivomuslista

BUK7219-55A,118

Nexperia USA Inc.

BUK7219-55A,118

osa: 184579

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 55V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 55A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 25A, 10V,

Toivomuslista

BUK9215-55A,118

Nexperia USA Inc.

BUK9215-55A,118

osa: 184578

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 55V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 55A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 13.6 mOhm @ 25A, 10V,

Toivomuslista

BUK9240-100A,118

Nexperia USA Inc.

BUK9240-100A,118

osa: 151749

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 33A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 38.6 mOhm @ 25A, 10V,

Toivomuslista

BUK9207-30B,118

Nexperia USA Inc.

BUK9207-30B,118

osa: 152477

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 25A, 10V,

Toivomuslista

BUK6209-30C,118

Nexperia USA Inc.

BUK6209-30C,118

osa: 102855

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 9.8 mOhm @ 12A, 10V,

Toivomuslista

BUK96180-100A,118

Nexperia USA Inc.

BUK96180-100A,118

osa: 147944

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 11A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 173 mOhm @ 5A, 10V,

Toivomuslista

BUK9614-60E,118

Nexperia USA Inc.

BUK9614-60E,118

osa: 122604

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 56A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 12.8 mOhm @ 15A, 10V,

Toivomuslista

Nexperia USA Inc.

BUK7Y4R4-40EX

osa: 176281

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 25A, 10V,

Toivomuslista

Nexperia USA Inc.

BUK7Y7R8-80EX

osa: 118582

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 80V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 7.8 mOhm @ 25A, 10V,

Toivomuslista

BUK9Y6R0-60E,115

Nexperia USA Inc.

BUK9Y6R0-60E,115

osa: 141695

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 25A, 10V,

Toivomuslista

BUK7E2R6-60E,127

Nexperia USA Inc.

BUK7E2R6-60E,127

osa: 29265

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 2.6 mOhm @ 25A, 10V,

Toivomuslista

BUK9Y19-75B,115

Nexperia USA Inc.

BUK9Y19-75B,115

osa: 140943

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 75V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 48.2A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 20A, 10V,

Toivomuslista

BUK765R3-40E,118

Nexperia USA Inc.

BUK765R3-40E,118

osa: 141625

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 25A, 10V,

Toivomuslista

BUK9209-40B,118

Nexperia USA Inc.

BUK9209-40B,118

osa: 149318

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 25A, 10V,

Toivomuslista

BUK7210-55B,118

Nexperia USA Inc.

BUK7210-55B,118

osa: 152495

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 55V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 25A, 10V,

Toivomuslista

BUK9219-55A,118

Nexperia USA Inc.

BUK9219-55A,118

osa: 172078

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 55V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 55A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 17.6 mOhm @ 25A, 10V,

Toivomuslista

BUK7222-55A,118

Nexperia USA Inc.

BUK7222-55A,118

osa: 187022

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 55V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 48A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 25A, 10V,

Toivomuslista

BUK663R2-40C,118

Nexperia USA Inc.

BUK663R2-40C,118

osa: 91480

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 25A, 10V,

Toivomuslista

1135

«
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
»