Tunnistusetäisyys: 1.5mm, Tunnistusmenetelmä: Reflective, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 20mA, Tulostyyppi: Photodiode,
Tunnistusetäisyys: 1.5mm, Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 20V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 60mA, Tulostyyppi: Phototransistor,
Tunnistusetäisyys: 1.5mm, Tunnistusmenetelmä: Reflective, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 30mA, Tulostyyppi: Photodiode,
Tunnistusetäisyys: 1.5mm, Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 20V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 40mA, Tulostyyppi: Phototransistor,
Tunnistusetäisyys: 1.5mm, Tunnistusmenetelmä: Reflective, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 40mA, Tulostyyppi: Photodiode,
Tunnistusetäisyys: 1.5mm, Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 20V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Tulostyyppi: Phototransistor,
Tunnistusetäisyys: 1.5mm, Tunnistusmenetelmä: Reflective, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 60mA, Tulostyyppi: Photodiode,
Tunnistusetäisyys: 1.5mm, Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 20V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 30mA, Tulostyyppi: Phototransistor,
