Diodit - Tasasuuntaajat - Taulukot | Erilliset puolijohdetuotteet | 1

SS275TI12205

osa: 747

Diodin kokoonpano: 3 Independent, Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 5A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io),

Toivomuslista

IXYS-RF

SS150TC60110

osa: 709

Diodin kokoonpano: 3 Common Cathode, Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 5A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io),

Toivomuslista

IXYS-RF

SS150TA60110

osa: 733

Diodin kokoonpano: 3 Common Anode, Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 5A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io),

Toivomuslista

IXYS-RF

SS275TA12205

osa: 711

Diodin kokoonpano: 3 Common Anode, Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 5A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io),

Toivomuslista

IXYS-RF

SS275TC12205

osa: 751

Diodin kokoonpano: 3 Common Cathode, Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 5A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io),

Toivomuslista

IXYS-RF

SS150TI60110

osa: 671

Diodin kokoonpano: 3 Independent, Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io) (diodia kohti): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 5A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io),

Toivomuslista