Transistorit - FETit, MOSFETit - Single | Erilliset puolijohdetuotteet | 1

CPC3902ZTR

osa: 131537

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 250V, Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 300mA, 0V,

Toivomuslista

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3902CTR

osa: 108608

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 250V, Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 300mA, 0V,

Toivomuslista

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3909ZTR

osa: 173406

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 400V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 300mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 9 Ohm @ 300mA, 0V,

Toivomuslista

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3701CTR

osa: 110408

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 300mA, 0V,

Toivomuslista

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3960ZTR

osa: 127604

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 44 Ohm @ 100mA, 0V,

Toivomuslista

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3710CTR

osa: 180680

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 250V, Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 220mA, 0V,

Toivomuslista

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3909CTR

osa: 173441

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 400V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 300mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 9 Ohm @ 300mA, 0V,

Toivomuslista

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3710C

osa: 1443

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 250V, Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 220mA, 0V,

Toivomuslista

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3982TTR

osa: 126520

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 800V, Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 380 Ohm @ 20mA, 0V,

Toivomuslista

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3720C

osa: 1407

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 350V, Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 22 Ohm @ 130mA, 0V,

Toivomuslista

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3714C

osa: 1380

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 350V, Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 240mA, 0V,

Toivomuslista

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3980ZTR

osa: 198190

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 800V, Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 45 Ohm @ 100mA, 0V,

Toivomuslista

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3701C

osa: 1385

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 300mA, 0V,

Toivomuslista

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3730C

osa: 6160

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 350V, Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 35 Ohm @ 140mA, 0V,

Toivomuslista

IXYS Integrated Circuits Division

CPC5603CTR

osa: 67206

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 415V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 5mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): -0.35V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 50mA, 350mV,

Toivomuslista

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3703C

osa: 335

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 250V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 360mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 200mA, 0V,

Toivomuslista

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3703CTR

osa: 103573

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 250V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 360mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 200mA, 0V,

Toivomuslista

IXYS Integrated Circuits Division

CPC5602CTR

osa: 127786

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 350V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 5mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): -0.35V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 50mA, 350mV,

Toivomuslista

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3708ZTR

osa: 107138

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 350V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 5mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): -0.35V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 50mA, 350mV,

Toivomuslista

IXYS Integrated Circuits Division

CPC3708CTR

osa: 185051

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 350V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 5mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): -0.35V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 50mA, 350mV,

Toivomuslista