Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile, Muistin koko: 32Mb (2M x 16), Kellotaajuus: 133MHz,
Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile, Muistin koko: 128Mb (4M x 32), Kellotaajuus: 166MHz,
Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile, Muistin koko: 512Mb (16M x 32), Kellotaajuus: 166MHz,
Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 4Mb (512K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 55ns,
Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile, Muistin koko: 128Mb (8M x 16), Kellotaajuus: 133MHz,
Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 16Mb (2M x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 25ns,
Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile, Muistin koko: 256Mb (8M x 32), Kellotaajuus: 133MHz,
Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 4Mb (256K x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 45ns,
Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4, Muistin koko: 1Gb (32M x 32), Kellotaajuus: 400MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,
Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Synchronous, DDR II, Muistin koko: 36Mb (1M x 36), Kellotaajuus: 300MHz,
Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - Mobile, Muistin koko: 256Mb (16M x 16), Kellotaajuus: 143MHz,
Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 4Mb (256K x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 55ns,
Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 512Mb (16M x 32), Kellotaajuus: 166MHz,
Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 32Mb (2M x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 10ns,
Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR3, Muistin koko: 4Gb (256M x 16), Kellotaajuus: 800MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,
Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM, Muistin koko: 512Mb (32M x 16), Kellotaajuus: 143MHz,
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 1Mb (128K x 8), Kellotaajuus: 104MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 800µs,
Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Synchronous, QUAD, Muistin koko: 36Mb (2M x 18), Kellotaajuus: 250MHz,
Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 4Mb (512K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 45ns,
Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Synchronous, Muistin koko: 18Mb (1M x 18), Kellotaajuus: 250MHz,
Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: DRAM, Teknologia: SDRAM - DDR4, Muistin koko: 4Gb (256M x 16), Kellotaajuus: 1.05GHz,
Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 16Mb (1M x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 25ns,
