Tunnistusetäisyys: 0.15" (3.8mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Tulostyyppi: Phototransistor,
Tunnistusetäisyys: 0.120" (3.05mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 15V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Tulostyyppi: Photodarlington,
Tunnistusetäisyys: 0.2" (5.08mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Tulostyyppi: Phototransistor,
Tunnistusetäisyys: 0.15" (3.8mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 15V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Tulostyyppi: Photodarlington,
Tunnistusetäisyys: 0.050" (1.27mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 60mA, Tulostyyppi: Phototransistor,
Tunnistusetäisyys: 0.2" (5.08mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Tulostyyppi: Phototransistor,
Tunnistusetäisyys: 0.040" (1.02mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Tulostyyppi: Phototransistor,
Tunnistusetäisyys: 0.200" (5.08mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 15V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Tulostyyppi: Photodarlington,
Tunnistusetäisyys: 0.250" (6.35mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 15V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Tulostyyppi: Photodarlington,
Tunnistusetäisyys: 0.250" (6.35mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Tulostyyppi: Phototransistor,
Tunnistusetäisyys: 0.05" (1.27mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 15V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 20mA, Tulostyyppi: Phototransistor,
Tunnistusetäisyys: 0.05" (1.27mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 20mA, Tulostyyppi: Phototransistor,
Tunnistusetäisyys: 0.15" (3.8mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 15V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Tulostyyppi: Phototransistor,
Tunnistusetäisyys: 0.15" (3.8mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Tulostyyppi: Phototransistor,
Tunnistusetäisyys: 0.050" (1.27mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 15V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 60mA, Tulostyyppi: Phototransistor,
Tunnistusetäisyys: 0.200" (5.08mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Tulostyyppi: Phototransistor,
Tunnistusetäisyys: 0.120" (3.05mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 15V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Tulostyyppi: Phototransistor,
