Transistorit - FETit, MOSFETit - Taulukot

AO4828

osa: 197

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 56 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

AOE6936

osa: 241

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 55A (Tc), 85A (Tc), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V, 2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, 2.1V @ 250µA,

AO4862

osa: 168294

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4.5A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

AON4803

osa: 144807

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3.4A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

AO8810

osa: 162690

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 7A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA,

AON6996

osa: 180862

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 50A, 60A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

AON6850

osa: 99071

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 5A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,

AO4614A

osa: 181100

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 6A, 5A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

AO6602L

osa: 108988

FET-tyyppi: N and P-Channel Complementary, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

AOC3868

osa: 244

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-ominaisuus: Standard, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA,

AOE6922

osa: 231

AO8822

osa: 186647

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 7A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

AO6800

osa: 191185

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3.4A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

AON6884

osa: 154901

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 9A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 11.3 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA,

AO8820

osa: 194644

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 7A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA,

AON2803

osa: 190228

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3.8A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 3.8A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

AON2812

osa: 146110

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4.5A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA,

AON6946

osa: 113613

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 14A, 18A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 11.6 mOhm @ 13A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

AON6980

osa: 189812

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 18A, 27A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 6.8 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

AO4818B

osa: 190375

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 8A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

AO4629

osa: 106543

FET-tyyppi: N and P-Channel, Common Drain, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 6A, 5.5A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

AON6998

osa: 176831

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 19A, 26A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

AO8801A

osa: 122683

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4.5A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 4.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA,

AOC2806

osa: 159850

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-ominaisuus: Standard,

AON3611

osa: 113670

FET-tyyppi: N and P-Channel, Common Drain, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 5A, 6A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

AO4801A

osa: 131073

FET-tyyppi: 2 P-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 5A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 48 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA,

AO4620

osa: 151361

FET-tyyppi: N and P-Channel, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA,

AON7934

osa: 197337

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 13A, 15A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 10.2 mOhm @ 13A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

AON6812

osa: 158569

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 27A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

AOC3862

osa: 261

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-ominaisuus: Standard, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA,

AO4822A

osa: 149283

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 8A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

AONY36352

osa: 235

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET-ominaisuus: Standard, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 18.5A (Ta), 49A (Tc), 30A (Ta), 85A (Tc), Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 5.3 mOhm @ 20A, 10V, 2 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, 1.9V @ 250µA,

AO6804A

osa: 194771

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 5A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

AON2802

osa: 116176

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 2A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

AON6932

osa: 152911

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 22A, 36A, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

AO4806

osa: 119746

FET-tyyppi: 2 N-Channel (Dual), FET-ominaisuus: Logic Level Gate, Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 9.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,