Diodit - Tasasuuntaajat - Single

GP2D006A065A

osa: 25677

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 650V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.65V @ 6A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

GP2D015A120B

osa: 7457

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 15A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

GP2D020A120B

osa: 5743

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 20A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 20A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

GDP06S060D

osa: 2250

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.7V @ 6A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

GP2D030A120B

osa: 4983

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 30A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 30A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

GP2D050A060B

osa: 3568

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 50A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.65V @ 50A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

GDP12S060D

osa: 16299

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 12A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.7V @ 12A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

GP2D020A170B

osa: 2736

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1700V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 20A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.75V @ 20A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

GDP60P120B

osa: 5284

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 60A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.7V @ 60A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

GDP36Z060B

osa: 2188

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 36A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.7V @ 36A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

GDP24P060B

osa: 2169

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 24A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.7V @ 24A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

GP2D010A120B

osa: 10170

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 10A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

GP2D010A120C

osa: 7417

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.8V @ 10A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

GDP30P120B

osa: 2235

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 81A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.7V @ 30A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

GDP15S120A

osa: 2215

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 15A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.7V @ 15A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

GP2D006A065C

osa: 25640

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 650V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 6A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.65V @ 6A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

GDP50P120B

osa: 1330

Diodityyppi: Silicon Carbide Schottky, Jännite - tasavirta taaksepäin (Vr) (maks.): 1200V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 50A (DC), Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.7V @ 50A, Nopeus: No Recovery Time > 500mA (Io), Käänteinen palautumisaika (trr): 0ns,

GP3D050A120B

osa: 487

GP3D030A060B

osa: 9535

Diodityyppi: Schottky, Nopeus: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

GP3D060A120B

osa: 9497

GP3D050A060B

osa: 9474