Muisti | Integroidut piirit (IC) | 2

MB85RC16VPNF-G-JNERE1

osa: 8652

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FRAM, Teknologia: FRAM (Ferroelectric RAM), Muistin koko: 16Kb (2K x 8), Kellotaajuus: 1MHz,

Toivomuslista

Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85R256GPF-G-BND-ERE1

osa: 5900

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FRAM, Teknologia: FRAM (Ferroelectric RAM), Muistin koko: 256Kb (32K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 150ns,

Toivomuslista

Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85R256GPF-G-BNDE1

osa: 8589

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FRAM, Teknologia: FRAM (Ferroelectric RAM), Muistin koko: 256Kb (32K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 150ns,

Toivomuslista

Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85R256FPF-G-BNDE1

osa: 5898

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FRAM, Teknologia: FRAM (Ferroelectric RAM), Muistin koko: 256Kb (32K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 150ns,

Toivomuslista

Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85R256FPF-G-BND-ERE1

osa: 8573

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FRAM, Teknologia: FRAM (Ferroelectric RAM), Muistin koko: 256Kb (32K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 150ns,

Toivomuslista

Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85RC16VPNF-G-JNE1

osa: 83162

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FRAM, Teknologia: FRAM (Ferroelectric RAM), Muistin koko: 16Kb (2K x 8), Kellotaajuus: 1MHz,

Toivomuslista

Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85RS256BPNF-G-JNE1

osa: 4627

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FRAM, Teknologia: FRAM (Ferroelectric RAM), Muistin koko: 256Kb (32K x 8), Kellotaajuus: 33MHz,

Toivomuslista

Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85RS128BPNF-G-JNE1

osa: 24522

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FRAM, Teknologia: FRAM (Ferroelectric RAM), Muistin koko: 128Kb (16K x 8), Kellotaajuus: 33MHz,

Toivomuslista

Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85R4002ANC-GE1

osa: 5910

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FRAM, Teknologia: FRAM (Ferroelectric RAM), Muistin koko: 4Mb (256K x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 150ns,

Toivomuslista

Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85R4001ANC-GE1

osa: 5917

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FRAM, Teknologia: FRAM (Ferroelectric RAM), Muistin koko: 4Mb (512K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 150ns,

Toivomuslista

Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85R4M2TFN-G-ASE1

osa: 5602

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FRAM, Teknologia: FRAM (Ferroelectric RAM), Muistin koko: 4Mb (256K x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 150ns,

Toivomuslista

Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85R1001ANC-GE1

osa: 8682

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FRAM, Teknologia: FRAM (Ferroelectric RAM), Muistin koko: 1Mb (128K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 150ns,

Toivomuslista

Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85RS2MTPH-G-JNE1

osa: 12664

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FRAM, Teknologia: FRAM (Ferroelectric RAM), Muistin koko: 2Mb (256K x 8), Kellotaajuus: 25MHz,

Toivomuslista

Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85RS2MTPF-G-JNERE2

osa: 13616

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FRAM, Teknologia: FRAM (Ferroelectric RAM), Muistin koko: 2Mb (256K x 8), Kellotaajuus: 25MHz,

Toivomuslista

Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85RQ4MLPF-G-BCERE1

osa: 9454

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FRAM, Teknologia: FRAM (Ferroelectric RAM), Muistin koko: 4Mb (512K x 8), Kellotaajuus: 108MHz,

Toivomuslista

Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85RS1MTPH-G-JNE1

osa: 12974

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FRAM, Teknologia: FRAM (Ferroelectric RAM), Muistin koko: 1Mb (128K x 8), Kellotaajuus: 40MHz,

Toivomuslista

Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85R1002ANC-GE1

osa: 11659

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FRAM, Teknologia: FRAM (Ferroelectric RAM), Muistin koko: 1Mb (64K x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 150ns,

Toivomuslista

Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85RS2MTAPH-G-JNE2

osa: 1254

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FRAM, Teknologia: FRAM (Ferroelectric RAM), Muistin koko: 2Mb (256K x 8), Kellotaajuus: 40MHz,

Toivomuslista

Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85RS2MTAPNF-G-BDERE1

osa: 14925

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FRAM, Teknologia: FRAM (Ferroelectric RAM), Muistin koko: 2Mb (256K x 8), Kellotaajuus: 40MHz,

Toivomuslista

Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85R256FPNF-G-JNERE2

osa: 160

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FRAM, Teknologia: FRAM (Ferroelectric RAM), Muistin koko: 256Kb (32K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 150ns,

Toivomuslista

Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85R256FPFCN-G-BNDE1

osa: 16052

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FRAM, Teknologia: FRAM (Ferroelectric RAM), Muistin koko: 256Kb (32K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 150ns,

Toivomuslista

Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85AS4MTPF-G-BCERE1

osa: 17745

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: RAM, Teknologia: ReRAM (Resistive RAM), Muistin koko: 4Mb (512K x 8), Kellotaajuus: 5MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 17ms,

Toivomuslista

Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85RC512TPNF-G-JNERE1

osa: 21629

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FRAM, Teknologia: FRAM (Ferroelectric RAM), Muistin koko: 512Kb (64K x 8), Kellotaajuus: 3.4MHz,

Toivomuslista

Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85RC1MTPNF-G-JNERE1

osa: 18230

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FRAM, Teknologia: FRAM (Ferroelectric RAM), Muistin koko: 1Mb (128K x 8), Kellotaajuus: 3.4MHz,

Toivomuslista

Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85RS1MTPW-G-APEWE1

osa: 18188

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FRAM, Teknologia: FRAM (Ferroelectric RAM), Muistin koko: 1Mb (128K x 8), Kellotaajuus: 40MHz,

Toivomuslista

Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85RS1MTPNF-G-JNERE1

osa: 18207

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FRAM, Teknologia: FRAM (Ferroelectric RAM), Muistin koko: 1Mb (128K x 8), Kellotaajuus: 40MHz,

Toivomuslista

Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85RS512TPNF-G-JNERE1

osa: 21656

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FRAM, Teknologia: FRAM (Ferroelectric RAM), Muistin koko: 512Kb (64K x 8), Kellotaajuus: 30MHz,

Toivomuslista

Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85RS256TYPNF-GS-BCERE1

osa: 205

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FRAM, Teknologia: FRAM (Ferroelectric RAM), Muistin koko: 256Kb (32K x 8), Kellotaajuus: 33MHz,

Toivomuslista

Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85RS128BPNF-G-JNERE1

osa: 36051

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FRAM, Teknologia: FRAM (Ferroelectric RAM), Muistin koko: 128Kb (16K x 8), Kellotaajuus: 33MHz,

Toivomuslista

Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85RC256VPF-G-JNERE2

osa: 32025

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FRAM, Teknologia: FRAM (Ferroelectric RAM), Muistin koko: 256Kb (32K x 8), Kellotaajuus: 1MHz,

Toivomuslista

Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85RC128APNF-G-JNE1

osa: 28871

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FRAM, Teknologia: FRAM (Ferroelectric RAM), Muistin koko: 128Kb (16K x 8), Kellotaajuus: 1MHz,

Toivomuslista

Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85RC256VPNF-G-JNERE1

osa: 31777

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FRAM, Teknologia: FRAM (Ferroelectric RAM), Muistin koko: 256Kb (32K x 8), Kellotaajuus: 1MHz,

Toivomuslista

Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85RS256APNF-G-JNE1

osa: 25238

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FRAM, Teknologia: FRAM (Ferroelectric RAM), Muistin koko: 256Kb (32K x 8), Kellotaajuus: 25MHz,

Toivomuslista

Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85RS256BPNF-G-JNERE1

osa: 31758

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FRAM, Teknologia: FRAM (Ferroelectric RAM), Muistin koko: 256Kb (32K x 8), Kellotaajuus: 33MHz,

Toivomuslista

Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85RS128APNF-G-JNE1

osa: 34694

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FRAM, Teknologia: FRAM (Ferroelectric RAM), Muistin koko: 128Kb (16K x 8), Kellotaajuus: 25MHz,

Toivomuslista

Fujitsu Electronics America, Inc.

MB85RC128APNF-G-JNERE1

osa: 42528

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FRAM, Teknologia: FRAM (Ferroelectric RAM), Muistin koko: 128Kb (16K x 8), Kellotaajuus: 1MHz,

Toivomuslista