Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 4Kb (512 x 8), Kellotaajuus: 1MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 2Kb (256 x 8), Kellotaajuus: 1MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH, Muistin koko: 4Mb (512K x 8), Kellotaajuus: 40MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 2.6ms,
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH, Muistin koko: 16Mb (2M x 8), Kellotaajuus: 120MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 2.4ms,
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH, Muistin koko: 4Mb (512K x 8), Kellotaajuus: 120MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 2ms,
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 16Kb (2K x 8), Kellotaajuus: 1MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 4Kb (512 x 8, 256 x 16), Kellotaajuus: 2MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 10ms,
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 128Kb (16K x 8), Kellotaajuus: 1MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: EEPROM, Teknologia: EEPROM, Muistin koko: 2Kb (256 x 8, 128 x 16), Kellotaajuus: 2MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 10ms,