Ydintyyppi: EFD, Aukko: 3F36, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): EFD 30 x 15 x 9,
Ydintyyppi: Toroid, Toleranssi: ±30%, Tehokas läpäisevyys (µe): 13.35mm, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): TX 13 x 7.9 x 6.4,
Ydintyyppi: ETD, Aukko: 3C95, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): ETD 39 x 20 x 13,
Ydintyyppi: Toroid, Toleranssi: ±30%, Tehokas läpäisevyys (µe): 14.25mm, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): TX 14 x 9 x 5,
Ydintyyppi: PLT, Aukko: 3F36, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): PLT 58 x 38 x 4,
Ydintyyppi: RM, Induktanssikerroin (Al): 63nH, Toleranssi: ±3%, Aukko: 3F36, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): RM 4,
Ydintyyppi: Toroid, Tehokas läpäisevyys (µe): 37.15mm, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): TX 36 x 23 x 10,
Ydintyyppi: E, Aukko: 3C94, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): E 42 x 21 x 15,
Ydintyyppi: Toroid, Toleranssi: ±30%, Tehokas läpäisevyys (µe): 43.15mm, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): TX 42 x 26 x 18,
Ydintyyppi: E, Aukko: 3C94, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): E 65 x 32 x 27,
Ydintyyppi: Toroid, Toleranssi: ±25%, Aukko: 3E27, Tehokas läpäisevyys (µe): 58.30mm,
Ydintyyppi: RM, Aukko: 3C95, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): RM 6,
Ydintyyppi: E, Aukko: 3C95, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): E 38 x 8 x 25,
Ydintyyppi: PQ, Aukko: 3F36, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): PQ 32 x 35,
Ydintyyppi: RM, Aukko: 3C95, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): RM 10,
Ydintyyppi: RM, Induktanssikerroin (Al): 160nH, Toleranssi: ±3%, Aukko: 3C97, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): RM 8,
Ydintyyppi: E, Aukko: 3F36, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): E 18 x 4 x 10,
Ydintyyppi: E, Aukko: 3C94, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): E 25 x 13 x 7,
Ydintyyppi: E, Aukko: 3C94, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): E 13 x 6 x 6,
Ydintyyppi: E, Aukko: 3C94, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): E 42 x 33 x 20,
Ydintyyppi: P, Induktanssikerroin (Al): 5.2µH, Toleranssi: ±25%, Aukko: 3C95, Tehokas läpäisevyys (µe): 22.00mm, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): P 22 x 13,
Ydintyyppi: E, Aukko: 3F4, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): E 32 x 6 x 20,
Ydintyyppi: PLT, Aukko: 3C96, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): PLT 58 x 38 x 4,
Ydintyyppi: RM, Induktanssikerroin (Al): 250nH, Toleranssi: ±3%, Aukko: 3C94, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): RM 12,
Ydintyyppi: E, Aukko: 3C97, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): E 22 x 6 x 16,
Ydintyyppi: E, Aukko: 3F36, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): E 22 x 6 x 16,
Ydintyyppi: Toroid, Toleranssi: ±25%, Tehokas läpäisevyys (µe): 57.50mm, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): TX 55 x 32 x 18,
Ydintyyppi: PQ, Aukko: 3C95, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): PQ 20 x 20,
Ydintyyppi: ER, Aukko: 3C94, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): ER 35 x 21 x 11,
Ydintyyppi: Toroid, Toleranssi: ±30%, Tehokas läpäisevyys (µe): 57.50mm, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): TX 55 x 32 x 18,
Ydintyyppi: Toroid, Toleranssi: ±25%, Aukko: 3C94, Tehokas läpäisevyys (µe): 63.00mm,
Ydintyyppi: E, Aukko: 3C94, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): E 20 x 10 x 5,
Ydintyyppi: UR, Aukko: 3C90, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): UR 70 x 33 x 17,
Ydintyyppi: E, Aukko: 3C96, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): E 25 x 13 x 7,
