Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Muisti

MR0A16AVYS35
Everspin Technologies Inc.

MR0A16AVYS35

osa: 6798

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: RAM, Teknologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Muistin koko: 1Mb (64K x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 35ns,

Toivomuslista
MR0A08BCYS35R
Everspin Technologies Inc.

MR0A08BCYS35R

osa: 7982

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: RAM, Teknologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Muistin koko: 1Mb (128K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 35ns,

Toivomuslista
MR0A08BCYS35
Everspin Technologies Inc.

MR0A08BCYS35

osa: 7847

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: RAM, Teknologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Muistin koko: 1Mb (128K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 35ns,

Toivomuslista
MR0DL08BMA45
Everspin Technologies Inc.

MR0DL08BMA45

osa: 8104

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: RAM, Teknologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Muistin koko: 1Mb (128K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 45ns,

Toivomuslista
MR0A16AMA35
Everspin Technologies Inc.

MR0A16AMA35

osa: 8450

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: RAM, Teknologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Muistin koko: 1Mb (64K x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 35ns,

Toivomuslista
MR0A16ACYS35R
Everspin Technologies Inc.

MR0A16ACYS35R

osa: 7947

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: RAM, Teknologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Muistin koko: 1Mb (64K x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 35ns,

Toivomuslista
MR25H256AMDF
Everspin Technologies Inc.

MR25H256AMDF

osa: 3225

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: RAM, Teknologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Muistin koko: 256Kb (32K x 8), Kellotaajuus: 40MHz,

Toivomuslista
MR25H256MDC
Everspin Technologies Inc.

MR25H256MDC

osa: 13562

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: RAM, Teknologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Muistin koko: 256Kb (32K x 8), Kellotaajuus: 40MHz,

Toivomuslista
MR0A16AYS35R
Everspin Technologies Inc.

MR0A16AYS35R

osa: 8478

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: RAM, Teknologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Muistin koko: 1Mb (64K x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 35ns,

Toivomuslista
MR0A08BCMA35R
Everspin Technologies Inc.

MR0A08BCMA35R

osa: 8341

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: RAM, Teknologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Muistin koko: 1Mb (128K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 35ns,

Toivomuslista
MR25H10MDC
Everspin Technologies Inc.

MR25H10MDC

osa: 7902

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: RAM, Teknologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Muistin koko: 1Mb (128K x 8), Kellotaajuus: 40MHz,

Toivomuslista
MR0A08BCMA35
Everspin Technologies Inc.

MR0A08BCMA35

osa: 7904

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: RAM, Teknologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Muistin koko: 1Mb (128K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 35ns,

Toivomuslista
MR25H10MDF
Everspin Technologies Inc.

MR25H10MDF

osa: 7936

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: RAM, Teknologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Muistin koko: 1Mb (128K x 8), Kellotaajuus: 40MHz,

Toivomuslista
MR0A08BMA35R
Everspin Technologies Inc.

MR0A08BMA35R

osa: 8868

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: RAM, Teknologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Muistin koko: 1Mb (128K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 35ns,

Toivomuslista
MR0A08BYS35R
Everspin Technologies Inc.

MR0A08BYS35R

osa: 8457

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: RAM, Teknologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Muistin koko: 1Mb (128K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 35ns,

Toivomuslista
MR0A08BMA35
Everspin Technologies Inc.

MR0A08BMA35

osa: 8421

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: RAM, Teknologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Muistin koko: 1Mb (128K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 35ns,

Toivomuslista
MR256A08BCMA35
Everspin Technologies Inc.

MR256A08BCMA35

osa: 11902

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: RAM, Teknologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Muistin koko: 256Kb (32K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 35ns,

Toivomuslista
MR25H256MDF
Everspin Technologies Inc.

MR25H256MDF

osa: 18988

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: RAM, Teknologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Muistin koko: 256Kb (32K x 8), Kellotaajuus: 40MHz,

Toivomuslista
MR25H256MDFR
Everspin Technologies Inc.

MR25H256MDFR

osa: 20653

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: RAM, Teknologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Muistin koko: 256Kb (32K x 8), Kellotaajuus: 40MHz,

Toivomuslista
MR25H10CDF
Everspin Technologies Inc.

MR25H10CDF

osa: 10254

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: RAM, Teknologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Muistin koko: 1Mb (128K x 8), Kellotaajuus: 40MHz,

Toivomuslista
MR25H10MDCR
Everspin Technologies Inc.

MR25H10MDCR

osa: 11877

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: RAM, Teknologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Muistin koko: 1Mb (128K x 8), Kellotaajuus: 40MHz,

Toivomuslista
MR25H256CDC
Everspin Technologies Inc.

MR25H256CDC

osa: 17070

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: RAM, Teknologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Muistin koko: 256Kb (32K x 8), Kellotaajuus: 40MHz,

Toivomuslista
MR25H10CDC
Everspin Technologies Inc.

MR25H10CDC

osa: 10313

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: RAM, Teknologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Muistin koko: 1Mb (128K x 8), Kellotaajuus: 40MHz,

Toivomuslista
MR25H256MDCR
Everspin Technologies Inc.

MR25H256MDCR

osa: 20614

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: RAM, Teknologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Muistin koko: 256Kb (32K x 8), Kellotaajuus: 40MHz,

Toivomuslista
MR256D08BMA45
Everspin Technologies Inc.

MR256D08BMA45

osa: 12738

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: RAM, Teknologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Muistin koko: 256Kb (32K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 45ns,

Toivomuslista
MR25H10CDFR
Everspin Technologies Inc.

MR25H10CDFR

osa: 15363

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: RAM, Teknologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Muistin koko: 1Mb (128K x 8), Kellotaajuus: 40MHz,

Toivomuslista
MR25H10CDCR
Everspin Technologies Inc.

MR25H10CDCR

osa: 15368

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: RAM, Teknologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Muistin koko: 1Mb (128K x 8), Kellotaajuus: 40MHz,

Toivomuslista
MR25H256CDF
Everspin Technologies Inc.

MR25H256CDF

osa: 17040

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: RAM, Teknologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Muistin koko: 256Kb (32K x 8), Kellotaajuus: 40MHz,

Toivomuslista
MR25H256ACDF
Everspin Technologies Inc.

MR25H256ACDF

osa: 12592

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: RAM, Teknologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Muistin koko: 256Kb (32K x 8), Kellotaajuus: 40MHz,

Toivomuslista
MR256A08BCYS35
Everspin Technologies Inc.

MR256A08BCYS35

osa: 14909

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: RAM, Teknologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Muistin koko: 256Kb (32K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 35ns,

Toivomuslista
MR256A08BCMA35R
Everspin Technologies Inc.

MR256A08BCMA35R

osa: 16057

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: RAM, Teknologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Muistin koko: 256Kb (32K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 35ns,

Toivomuslista
MR256A08BYS35
Everspin Technologies Inc.

MR256A08BYS35

osa: 12727

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: RAM, Teknologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Muistin koko: 256Kb (32K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 35ns,

Toivomuslista
MR256A08BCYS35R
Everspin Technologies Inc.

MR256A08BCYS35R

osa: 15528

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: RAM, Teknologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Muistin koko: 256Kb (32K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 35ns,

Toivomuslista
MR25H10MDFR
Everspin Technologies Inc.

MR25H10MDFR

osa: 11854

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: RAM, Teknologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Muistin koko: 1Mb (128K x 8), Kellotaajuus: 40MHz,

Toivomuslista
MR256DL08BMA45
Everspin Technologies Inc.

MR256DL08BMA45

osa: 15976

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: RAM, Teknologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Muistin koko: 256Kb (32K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 45ns,

Toivomuslista
MR256A08BMA35R
Everspin Technologies Inc.

MR256A08BMA35R

osa: 17158

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: RAM, Teknologia: MRAM (Magnetoresistive RAM), Muistin koko: 256Kb (32K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 35ns,

Toivomuslista