Ydintyyppi: I, Aukko: N87, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): I 32 x 3 x 20,
Ydintyyppi: E, Aukko: N87, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): E 55 x 28 x 21,
Ydintyyppi: P (Pot Core), Induktanssikerroin (Al): 800nH, Toleranssi: -30%, +40%, Aukko: N30, Tehokas läpäisevyys (µe): 4.65mm, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): P 4.6 x 4.1,
Ydintyyppi: Toroid, Induktanssikerroin (Al): 5.4µH, Toleranssi: ±30%, Aukko: T65, Tehokas läpäisevyys (µe): 32.10mm,
Ydintyyppi: ETD, Aukko: N87, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): ETD 54 x 28 x 19,
Ydintyyppi: ETD, Aukko: N87, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): ETD 44 x 22 x 15,
Ydintyyppi: PQ, Induktanssikerroin (Al): 3.3µH, Toleranssi: -20%, +30%, Aukko: N49, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): PQ 26 x 25,
Ydintyyppi: Toroid, Induktanssikerroin (Al): 5.4µH, Toleranssi: ±25%, Aukko: N30, Tehokas läpäisevyys (µe): 60.10mm,
Ydintyyppi: ELP, Aukko: N49, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): ELP 64 x 10 x50,
Ydintyyppi: RM, Induktanssikerroin (Al): 250nH, Toleranssi: ±3%, Aukko: N48, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): RM 5,
Ydintyyppi: RM, Induktanssikerroin (Al): 630nH, Toleranssi: ±3%, Aukko: N48, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): RM 10,
Ydintyyppi: RM, Aukko: N87, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): RM 10,
Ydintyyppi: RM, Induktanssikerroin (Al): 400nH, Toleranssi: ±5%, Aukko: N41, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): RM 12,
Ydintyyppi: RM, Induktanssikerroin (Al): 160nH, Toleranssi: ±3%, Aukko: N41, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): RM 12,
Ydintyyppi: RM, Induktanssikerroin (Al): 5.2µH, Toleranssi: -20%, +30%, Aukko: N87, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): RM 10 LP,
Ydintyyppi: RM, Induktanssikerroin (Al): 4.1µH, Toleranssi: -20%, +30%, Aukko: N87, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): RM 8 LP,
Ydintyyppi: RM, Aukko: N87, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): RM 12,
Ydintyyppi: Toroid, Induktanssikerroin (Al): 6.25µH, Toleranssi: ±30%, Aukko: T65, Tehokas läpäisevyys (µe): 60.10mm,
Ydintyyppi: PQ, Induktanssikerroin (Al): 7.6µH, Toleranssi: -20%, +30%, Aukko: N95, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): PQ 32 x 20,
Ydintyyppi: Toroid, Induktanssikerroin (Al): 3.87µH, Toleranssi: ±25%, Aukko: N87, Tehokas läpäisevyys (µe): 39.40mm,
Ydintyyppi: E, Aukko: N87, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): E 70 x 33 x 32,
Ydintyyppi: RM, Induktanssikerroin (Al): 8.7µH, Toleranssi: -20%, +30%, Aukko: N30, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): RM 12,
Ydintyyppi: Toroid, Induktanssikerroin (Al): 8.2µH, Toleranssi: ±25%, Aukko: T35, Tehokas läpäisevyys (µe): 41.80mm,
Ydintyyppi: PQ, Induktanssikerroin (Al): 4.6µH, Toleranssi: -20%, +30%, Aukko: N49, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): PQ 32 x 20,
Ydintyyppi: E, Aukko: N87, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): E 32 x 16 x 9,
Ydintyyppi: I, Aukko: N49, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): I 64 x 5 x 50,
Ydintyyppi: ETD, Aukko: N27, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): ETD 49 x 25 x 16,
Ydintyyppi: E, Aukko: N87, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): E 55 x 28 x 25,
Ydintyyppi: I, Aukko: N87, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): I 43 x 4 x 28,
Ydintyyppi: I, Aukko: N87, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): I 58 x 4 x 38,
Ydintyyppi: ETD, Aukko: N87, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): ETD 49 x 25 x 16,
Ydintyyppi: ETD, Aukko: N27, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): ETD 34 x 17 x 11,
Ydintyyppi: ELP, Aukko: N97, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): ELP 32 x 6 x 20,
Ydintyyppi: Toroid, Induktanssikerroin (Al): 17.4µH, Toleranssi: ±30%, Aukko: T38, Tehokas läpäisevyys (µe): 51.80mm,
