Ydintyyppi: I, Induktanssikerroin (Al): 5.7µH, Toleranssi: ±25%, Aukko: N49, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): I 38 x 4 x 25,
Ydintyyppi: RM, Induktanssikerroin (Al): 5.7µH, Toleranssi: -20%, +30%, Aukko: N30, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): RM 8,
Ydintyyppi: RM, Induktanssikerroin (Al): 2.9µH, Toleranssi: -20%, +30%, Aukko: N49, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): RM 8 LP,
Ydintyyppi: RM,
Ydintyyppi: RM, Induktanssikerroin (Al): 630nH, Toleranssi: ±5%, Aukko: N41, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): RM 8,
Ydintyyppi: RM, Induktanssikerroin (Al): 400nH, Toleranssi: ±3%, Aukko: N48, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): RM 8,
Ydintyyppi: RM, Induktanssikerroin (Al): 3.1µH, Toleranssi: -20%, +30%, Aukko: N92, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): RM 8 LP,
Ydintyyppi: ELP, Aukko: N87, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): ELP 43 x 10 x 28,
Ydintyyppi: E, Aukko: N87, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): E 20 x 10 x 6,
Ydintyyppi: E, Aukko: T35, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): E 20 x 10 x 6,
Ydintyyppi: E, Aukko: N27, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): E 20 x 10 x 6,
Ydintyyppi: Toroid, Induktanssikerroin (Al): 9.3µH, Toleranssi: ±25%, Aukko: N30, Tehokas läpäisevyys (µe): 60.10mm,
Ydintyyppi: Toroid, Aukko: T65,
Ydintyyppi: Toroid, Induktanssikerroin (Al): 3.87µH, Toleranssi: ±25%, Aukko: T35, Tehokas läpäisevyys (µe): 17.20mm,
Ydintyyppi: Toroid, Aukko: N72,
Ydintyyppi: RM, Induktanssikerroin (Al): 630nH, Toleranssi: ±3%, Aukko: N48, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): RM 10,
Ydintyyppi: Toroid,
Ydintyyppi: RM, Aukko: N41, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): RM 10,
Ydintyyppi: Toroid, Induktanssikerroin (Al): 8.8µH, Toleranssi: ±30%, Aukko: T65, Tehokas läpäisevyys (µe): 39.40mm,
Ydintyyppi: Toroid, Induktanssikerroin (Al): 1.76µH, Toleranssi: ±25%, Aukko: N30, Tehokas läpäisevyys (µe): 10.00mm, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): R 10 x 6 x 4,
