Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single

Koti
Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single

Diodes Incorporated

SDBN500B01-7

osa: 6796

Transistorin tyyppi: NPN + Diode (Isolated), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 350mV @ 20mA, 200mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 1V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

ZTX449

osa: 143679

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

ZTX649STZ

osa: 199650

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 25V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

ZTX449STZ

osa: 126329

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

FCX1151ATA

osa: 139548

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 3A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 250mA, 3A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

ZTX753

osa: 77160

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 100V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO),

Toivomuslista

Diodes Incorporated

ZTX749STZ

osa: 154115

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 25V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DCP52-16-13

osa: 152800

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

MMBT3904T-13

osa: 7059

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

ZXTN25012EZTA

osa: 178792

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 6.5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 270mV @ 130mA, 6.5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

ZTX553STZ

osa: 114576

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 100V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 15mA, 150mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DSS9110Y-7

osa: 104998

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 100V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 320mV @ 100mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

FZT948TA

osa: 147992

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 6A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 20V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 450mV @ 250mA, 6A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

ZTX1051A

osa: 62612

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 4A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 210mV @ 100mA, 4A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

ZTX957STZ

osa: 133951

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 300V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 200mV @ 300mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

ZTX705STZ

osa: 180822

Transistorin tyyppi: PNP - Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 120V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 2mA, 2A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 3000 @ 1A, 5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

FCX589TA

osa: 100823

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 650mV @ 200mA, 2A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

ZXTN19060CGTA

osa: 193542

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 7A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 700mA, 7A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

MMSTA56Q-7-F

osa: 9993

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

ZXTP718MATA

osa: 118832

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 3.5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 20V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 350mA, 3.5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 25nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

ZXT3M322TA

osa: 5750

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 3A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 370mV @ 250mA, 2.5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 25nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 1.5A, 2V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

ZTX956STOA

osa: 6423

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 200V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 400mA, 2A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DCX53-13

osa: 126198

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

ZXTP720MATA

osa: 197465

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 3A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 370mV @ 250mA, 2.5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 25nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 1.5A, 2V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DJT4031N-13

osa: 118330

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 3A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 3A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DCX52-16-13

osa: 106611

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

ZX3CD3S1M832TA

osa: 6454

Transistorin tyyppi: PNP + Diode (Isolated), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 3A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 370mV @ 250mA, 2.5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 25nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 1.5A, 2V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

FZT491ATC

osa: 6339

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

FMMT558TC

osa: 6342

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 150mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 400V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 6mA, 50mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DZT591C-13

osa: 6484

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DSS4240Y-7

osa: 124082

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 2A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DXT3906-13

osa: 120203

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

MJD31CUQ-13

osa: 171686

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 3A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 100V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 700mV @ 375mA, 3A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 1μA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

FMMT458QTA

osa: 161997

Transistorin tyyppi: NPN, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 225mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 400V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 6mA, 50mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

FZT788ATA

osa: 6650

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 300mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 15V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

MMST2907A-7-F

osa: 114431

Transistorin tyyppi: PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 600mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Toivomuslista

1418

«
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
»