Vahvistimen tyyppi: CMOS, Piirien lukumäärä: 1, Käännösnopeus: 0.04V/µs, Gain Bandwidth Product: 110MHz,
Vahvistimen tyyppi: CMOS, Piirien lukumäärä: 1, Käännösnopeus: 4.6V/µs, Gain Bandwidth Product: 2.2MHz,
Vahvistimen tyyppi: CMOS, Piirien lukumäärä: 1, Tulostyyppi: Rail-to-Rail, Käännösnopeus: 2V/µs, Gain Bandwidth Product: 1.9MHz,
Vahvistimen tyyppi: CMOS, Piirien lukumäärä: 1, Tulostyyppi: Rail-to-Rail, Käännösnopeus: 2V/µs, Gain Bandwidth Product: 2MHz,
Vahvistimen tyyppi: General Purpose, Piirien lukumäärä: 2, Tulostyyppi: Rail-to-Rail, Käännösnopeus: 1V/µs, Gain Bandwidth Product: 1MHz,
Vahvistimen tyyppi: General Purpose, Piirien lukumäärä: 4, Käännösnopeus: 0.3V/µs, Gain Bandwidth Product: 700kHz,
Vahvistimen tyyppi: CMOS, Piirien lukumäärä: 1, Käännösnopeus: 0.04V/µs, Gain Bandwidth Product: 110kHz,
Vahvistimen tyyppi: CMOS, Piirien lukumäärä: 2, Tulostyyppi: Rail-to-Rail, Käännösnopeus: 2V/µs, Gain Bandwidth Product: 2MHz,
Vahvistimen tyyppi: J-FET, Piirien lukumäärä: 2, Käännösnopeus: 13V/µs, Gain Bandwidth Product: 3MHz,
Vahvistimen tyyppi: General Purpose, Piirien lukumäärä: 4, Tulostyyppi: Rail-to-Rail, Käännösnopeus: 1V/µs, Gain Bandwidth Product: 1MHz,
Vahvistimen tyyppi: General Purpose, Piirien lukumäärä: 1, Tulostyyppi: Rail-to-Rail, Käännösnopeus: 1V/µs, Gain Bandwidth Product: 1MHz,
Vahvistimen tyyppi: General Purpose, Piirien lukumäärä: 2, Käännösnopeus: 0.3V/µs, Gain Bandwidth Product: 700kHz,