Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - matriisit

Koti
Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - matriisit

Diodes Incorporated

DST847BPDP6-7

osa: 157442

Transistorin tyyppi: NPN, PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA / 500mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

ZXTC6719MCTA

osa: 136028

Transistorin tyyppi: NPN, PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 4A, 3A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A / 370mV @ 250mA, 2.5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V / 60 @ 1.5A, 2V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

ZDT758TC

osa: 4550

Transistorin tyyppi: 2 PNP (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 400V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

ZXT12P20DXTC

osa: 4438

Transistorin tyyppi: 2 PNP (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2.5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 20V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 200mV @ 125mA, 2.5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

ZDT1049TA

osa: 94853

Transistorin tyyppi: 2 NPN (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 25V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 220mV @ 50mA, 4A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

MMDT3906-7-F

osa: 167743

Transistorin tyyppi: 2 PNP (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

ZDT6705TA

osa: 6533

Transistorin tyyppi: NPN, PNP Darlington (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 120V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10µA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

ZDT6718TA

osa: 129824

Transistorin tyyppi: NPN, PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2A, 1.5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 20V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 200mV @ 50mA, 2.5A / 220mV @ 50mA, 1.5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V / 300 @ 100mA, 2V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

ZXTD717MCTA

osa: 126820

Transistorin tyyppi: 2 PNP (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 4A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 310mV @ 150mA, 4A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 180 @ 2.5A, 2V,

Toivomuslista

ULN2003V12S16-13

Diodes Incorporated

ULN2003V12S16-13

osa: 132682

Transistorin tyyppi: 7 NPN Darlington, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50µA,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

ZXTD718MCTA

osa: 103485

Transistorin tyyppi: 2 PNP (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 3.5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 20V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 350mA, 3.5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

ZXTD6717E6TC

osa: 4441

Transistorin tyyppi: NPN, PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1.5A, 1.25A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 15V, 12V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 245mV @ 20mA, 1.5A / 240mV @ 100mA, 1.25A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V / 200 @ 500mA, 2V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

MMDT4126-7-F

osa: 124439

Transistorin tyyppi: 2 PNP (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 25V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

MMDT4124-7-F

osa: 119491

Transistorin tyyppi: 2 NPN (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 25V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 50nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DSS45160FDB-7

osa: 130170

Transistorin tyyppi: NPN, PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 240mV @ 50mA, 1A / 550mV @ 50mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V / 120 @ 500mA, 2V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

ZDT6757TA

osa: 4442

Transistorin tyyppi: NPN, PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 300V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMB2227A-7

osa: 199611

Transistorin tyyppi: NPN, PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 600mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA / 1.6V @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

ZDT1048TC

osa: 4409

Transistorin tyyppi: 2 NPN (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 17.5V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

ZXTD6717E6TA

osa: 167337

Transistorin tyyppi: NPN, PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1.5A, 1.25A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 15V, 12V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 245mV @ 20mA, 1.5A / 240mV @ 100mA, 1.25A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V / 200 @ 500mA, 2V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

ZDT6790TA

osa: 129829

Transistorin tyyppi: NPN, PNP, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 1A / 750mV @ 50mA, 2A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 400 @ 1A, 2V / 300 @ 10mA, 2V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMMT3904W-7

osa: 4384

Transistorin tyyppi: 2 NPN (Dual) Matched Pair, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

ZDT795ATA

osa: 129859

Transistorin tyyppi: 2 PNP (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 140V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMMT3906-7-F

osa: 192790

Transistorin tyyppi: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 200mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

ZTD09N50DE6QTA

osa: 191347

Transistorin tyyppi: 2 NPN (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 1A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 270mV @ 50mA, 1A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

MMDTA42-7-F

osa: 114924

Transistorin tyyppi: 2 NPN (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 300V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

ZDT651TC

osa: 4396

Transistorin tyyppi: 2 NPN (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 2A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 60V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

ZXT12P12DXTA

osa: 89203

Transistorin tyyppi: 2 PNP (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 3A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 12V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 270mV @ 30mA, 3A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

MMDT4403-7-F

osa: 175

Transistorin tyyppi: 2 PNP (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 600mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DST857BDJ-7

osa: 170317

Transistorin tyyppi: 2 PNP (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 45V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 15nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

MMDTA06-7

osa: 107879

Transistorin tyyppi: 2 NPN (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 80V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

IMX8-7-F

osa: 173259

Transistorin tyyppi: 2 NPN (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 120V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 500nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

MMDT2222A-7

osa: 4406

Transistorin tyyppi: 2 NPN (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 600mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

IMT4-7-F

osa: 4494

Transistorin tyyppi: 2 PNP (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 120V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 500nA (ICBO), Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

ZXTD720MCTA

osa: 181796

Transistorin tyyppi: 2 PNP (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 3A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 40V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 370mV @ 250mA, 2.5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 1.5A, 2V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

ZXTD618MCTA

osa: 166488

Transistorin tyyppi: 2 NPN (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 20V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 125mA, 4.5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 100nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

ZDT1048TA

osa: 94906

Transistorin tyyppi: 2 NPN (Dual), Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 5A, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 17.5V, Vce-kylläisyys (maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 5A, Nykyinen - kerääjän katkaisu (enintään): 10nA, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V,

Toivomuslista

206

«
1
2
3
4
5
6
»