Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittä

  • Koti
  •  
  • Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittä
ADTA143ZUAQ-7
Diodes Incorporated

ADTA143ZUAQ-7

osa: 152

Transistorin tyyppi: PNP - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Vastus - pohja (R1): 4.7 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Toivomuslista
ADTA144EUAQ-13
Diodes Incorporated

ADTA144EUAQ-13

osa: 126718

Transistorin tyyppi: PNP - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 47 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms,

Toivomuslista
ADTA114EUAQ-7
Diodes Incorporated

ADTA114EUAQ-7

osa: 131267

Transistorin tyyppi: PNP - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 10 kOhms,

Toivomuslista
ADTC124ECAQ-13
Diodes Incorporated

ADTC124ECAQ-13

osa: 123811

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 22 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 22 kOhms,

Toivomuslista
ADTA114EUAQ-13
Diodes Incorporated

ADTA114EUAQ-13

osa: 101827

Transistorin tyyppi: PNP - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 10 kOhms,

Toivomuslista
ADTC143ZUAQ-13
Diodes Incorporated

ADTC143ZUAQ-13

osa: 182

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Vastus - pohja (R1): 4.7 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Toivomuslista
ADTC143TUAQ-13
Diodes Incorporated

ADTC143TUAQ-13

osa: 128

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 4.7 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Toivomuslista
ADTC114YUAQ-13
Diodes Incorporated

ADTC114YUAQ-13

osa: 147

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Toivomuslista
ADTA143XUAQ-13
Diodes Incorporated

ADTA143XUAQ-13

osa: 126

Transistorin tyyppi: PNP - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Vastus - pohja (R1): 4.7 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 10 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Toivomuslista
ADTA143XUAQ-7
Diodes Incorporated

ADTA143XUAQ-7

osa: 9928

Transistorin tyyppi: PNP - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Vastus - pohja (R1): 4.7 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 10 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Toivomuslista
ADTC114YUAQ-7
Diodes Incorporated

ADTC114YUAQ-7

osa: 9985

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Toivomuslista
ADTC124ECAQ-7
Diodes Incorporated

ADTC124ECAQ-7

osa: 132443

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 22 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 22 kOhms,

Toivomuslista
ADTC114EUAQ-7
Diodes Incorporated

ADTC114EUAQ-7

osa: 149741

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 10 kOhms,

Toivomuslista
ADTC144EUAQ-7
Diodes Incorporated

ADTC144EUAQ-7

osa: 162255

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 47 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms,

Toivomuslista
ADTC143TUAQ-7
Diodes Incorporated

ADTC143TUAQ-7

osa: 9972

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 4.7 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Toivomuslista
ADTA144ECAQ-7
Diodes Incorporated

ADTA144ECAQ-7

osa: 167067

Transistorin tyyppi: PNP - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 47 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms,

Toivomuslista
ADTA144EUAQ-7
Diodes Incorporated

ADTA144EUAQ-7

osa: 145892

Transistorin tyyppi: PNP - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 47 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms,

Toivomuslista
ADTA144ECAQ-13
Diodes Incorporated

ADTA144ECAQ-13

osa: 103821

Transistorin tyyppi: PNP - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 47 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms,

Toivomuslista
ADTC144EUAQ-13
Diodes Incorporated

ADTC144EUAQ-13

osa: 169878

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 47 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms,

Toivomuslista
ADTC114EUAQ-13
Diodes Incorporated

ADTC114EUAQ-13

osa: 107782

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 10 kOhms,

Toivomuslista
ADTA143ZUAQ-13
Diodes Incorporated

ADTA143ZUAQ-13

osa: 1775

Transistorin tyyppi: PNP - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Vastus - pohja (R1): 4.7 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Toivomuslista
DDTA124TCA-7
Diodes Incorporated

DDTA124TCA-7

osa: 2229

Transistorin tyyppi: PNP - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 22 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Toivomuslista
DDTC142TU-7-F
Diodes Incorporated

DDTC142TU-7-F

osa: 160563

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 470 Ohms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Toivomuslista
DDTC115GCA-7
Diodes Incorporated

DDTC115GCA-7

osa: 3217

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 100 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V,

Toivomuslista
DDTA144TCA-7
Diodes Incorporated

DDTA144TCA-7

osa: 194982

Transistorin tyyppi: PNP - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Toivomuslista
DDTC114TE-7
Diodes Incorporated

DDTC114TE-7

osa: 2123

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Toivomuslista
DDTC123JLP-7
Diodes Incorporated

DDTC123JLP-7

osa: 2188

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 2.2 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 5V,

Toivomuslista
DDTA143TUA-7
Diodes Incorporated

DDTA143TUA-7

osa: 2153

Transistorin tyyppi: PNP - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 4.7 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Toivomuslista
DDTA143XE-7
Diodes Incorporated

DDTA143XE-7

osa: 2210

Transistorin tyyppi: PNP - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 4.7 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 10 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Toivomuslista
DDTC114TCA-7-F
Diodes Incorporated

DDTC114TCA-7-F

osa: 212

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Toivomuslista
DDTA144WUA-7
Diodes Incorporated

DDTA144WUA-7

osa: 2183

Transistorin tyyppi: PNP - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 47 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 22 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 5V,

Toivomuslista
DDTA143XCA-7
Diodes Incorporated

DDTA143XCA-7

osa: 2188

Transistorin tyyppi: PNP - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 4.7 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 10 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Toivomuslista
DDTA144VE-7
Diodes Incorporated

DDTA144VE-7

osa: 2150

Transistorin tyyppi: PNP - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 47 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 10 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 33 @ 10mA, 5V,

Toivomuslista
DDTC114YUA-7
Diodes Incorporated

DDTC114YUA-7

osa: 2197

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 10 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 47 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Toivomuslista
DDTD143EU-7-F
Diodes Incorporated

DDTD143EU-7-F

osa: 126073

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 500mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - pohja (R1): 4.7 kOhms, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 4.7 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 47 @ 50mA, 5V,

Toivomuslista
DDTC124GCA-7-F
Diodes Incorporated

DDTC124GCA-7-F

osa: 123740

Transistorin tyyppi: NPN - Pre-Biased, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 50V, Vastus - Lähetinjalusta (R2): 22 kOhms, Tasavirran vahvistus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

Toivomuslista