Transistorit - FETit, MOSFETit - Single

Koti
Transistorit - FETit, MOSFETit - Single

Diodes Incorporated

BS107PSTOB

osa: 9842

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 200V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 120mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 2.6V, 5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 30 Ohm @ 100mA, 5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

BS170FTC

osa: 9815

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 150µA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

BS107PSTOA

osa: 9830

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 200V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 120mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 2.6V, 5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 30 Ohm @ 100mA, 5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

BSS127SSN-7

osa: 139832

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 50mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 160 Ohm @ 16mA, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

BSS123ATA

osa: 9563

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 170mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

BSS123W-7

osa: 9261

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 170mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

BSS123-7

osa: 9289

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 170mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

BSS84W-7

osa: 5967

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 50V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 130mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 100mA, 5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

BSS138W-7

osa: 9210

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 50V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 200mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

BSS84-7

osa: 5966

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 50V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 130mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 100mA, 5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

BSS138-7

osa: 9161

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 50V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 200mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

BS870-7

osa: 9148

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 250mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

BSS138TA

osa: 178827

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 50V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 200mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

BSS84TA

osa: 8844

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 50V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 130mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 100mA, 5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

BS170FTA

osa: 141023

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 150µA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

BS250FTA

osa: 165036

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 45V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 90mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 200mA, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

BS250P

osa: 76312

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 45V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 230mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 200mA, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

BS870-7-F

osa: 145986

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 250mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

BS107P

osa: 111049

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 200V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 120mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 2.6V, 5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 30 Ohm @ 100mA, 5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

BSS123-7-F

osa: 194929

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 170mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

BSS127S-7

osa: 145342

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 600V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 50mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 160 Ohm @ 16mA, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

BSS123W-7-F

osa: 104941

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 170mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

BSS123TA

osa: 164889

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 170mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 100mA, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

BSS123WQ-7-F

osa: 128372

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 170mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

BSN20-7

osa: 154699

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 50V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 500mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 220mA, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

BSS138W-7-F

osa: 179213

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 50V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 200mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

BSS84W-7-F

osa: 141466

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 50V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 130mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 100mA, 5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

BSS84-7-F

osa: 115052

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 50V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 130mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 100mA, 5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

BSS138-7-F

osa: 190529

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 50V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 200mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMP1096UCB4-7

osa: 195132

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 12V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 2.6A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 102 mOhm @ 500mA, 4.5V,

Toivomuslista

DMTH6004SCTBQ-13

Diodes Incorporated

DMTH6004SCTBQ-13

osa: 44412

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 100A, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMG4N65CT

osa: 59554

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 650V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 2A, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMN2058UW-7

osa: 101

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 3A, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMN1053UCP4-7

osa: 118

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 12V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 2.7A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 1A, 4.5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMN1017UCP3-7

osa: 198308

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 12V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 7.5A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 3.3V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 5A, 3.3V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMJ70H1D3SH3

osa: 61608

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 700V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 4.6A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.3 Ohm @ 2.5A, 10V,

Toivomuslista

1420

«
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
»