Transistorit - FETit, MOSFETit - Single | Erilliset puolijohdetuotteet | 40

DMN63D1LW-7

osa: 188434

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 380mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMTH4004LPS-13

osa: 132093

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 26A (Ta), 100A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 50A, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMNH6012SPS-13

osa: 126826

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 50A, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMP2123LQ-13

osa: 176587

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 3.5A, 4.5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMTH6002LPS-13

osa: 215

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 2 mOhm @ 50A, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMTH10H010SPSQ-13

osa: 259

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 11.8A (Ta), 100A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 8.8 mOhm @ 13A, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMN2046U-13

osa: 123552

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3.4A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 72 mOhm @ 3.6A, 4.5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMP2035UVTQ-13

osa: 197642

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 7.2A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4A, 4.5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMP3026SFDF-7

osa: 189021

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 10.3A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 4.5A, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMT3006LPS-13

osa: 163005

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 16A (Ta), 65A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 20A, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMT6002LPS-13

osa: 89669

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 2 mOhm @ 50A, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMG9N65CTI

osa: 42826

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 650V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 9A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.3 Ohm @ 4.5A, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMP3026SFDF-13

osa: 189690

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 10.3A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 4.5A, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMTH8012LPS-13

osa: 169905

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 80V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta), 72A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 12A, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMNH6042SPD-13

osa: 129605

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 5.7A (Ta), 24A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 5.1A, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMN1019UVT-13

osa: 168077

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 12V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 10.7A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 9.7A, 4.5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMN31D6UT-13

osa: 181895

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 350mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 100mA, 4.5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMTH10H010SPS-13

osa: 271

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 11.8A (Ta), 123A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 8.8 mOhm @ 13A, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMN3016LPS-13

osa: 143369

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 10.8A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 20A, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMP3125L-13

osa: 292

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 3.8A, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMN3033LSNQ-13

osa: 103481

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMT6004SPS-13

osa: 98634

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 23A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 50A, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMN10H170SVT-13

osa: 193876

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 2.6A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 5A, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMN10H220L-13

osa: 163893

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 1.4A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 220 mOhm @ 1.6A, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMN13H750S-13

osa: 118781

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 130V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 1A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 2A, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMTH4007LPSQ-13

osa: 158590

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 15.5A (Ta), 100A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 20A, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMTH10H015LPS-13

osa: 176165

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 100V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 7.3A (Ta), 44A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 20A, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMT31M6LPS-13

osa: 126851

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 30V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 35.8A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 1.35 mOhm @ 20A, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMN63D1LW-13

osa: 146947

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 380mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMN1004UFDF-7

osa: 303

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 12V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 15A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 15A, 4.5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMP2170U-13

osa: 179527

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 3.1A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3.5A, 4.5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMN26D0UT-7

osa: 106052

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 230mA (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 100mA, 4.5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMP2066UFDE-7

osa: 170309

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 6.2A (Ta), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 4.6A, 4.5V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMNH6042SPDQ-13

osa: 169853

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 60V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 5.7A (Ta), 24A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 5.1A, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMNH4011SPS-13

osa: 199618

FET-tyyppi: N-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 40V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 13A (Ta), 80A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 20A, 10V,

Toivomuslista

Diodes Incorporated

DMP22M2UPS-13

osa: 75958

FET-tyyppi: P-Channel, Teknologia: MOSFET (Metal Oxide), Tyhjennä lähteen jännite (Vdss): 20V, Virta - jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds päällä (enintään) @ Id, Vgs: 2.5 mOhm @ 25A, 10V,

Toivomuslista