Muisti

S25FL032P0XNFI000

osa: 9795

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 32Mb (4M x 8), Kellotaajuus: 104MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5µs, 3ms,

S25FL129P0XMFI003

osa: 9999

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 128Mb (16M x 8), Kellotaajuus: 104MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5µs, 3ms,

CY14V101QS-BK108XQ

osa: 6476

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: NVSRAM, Teknologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Muistin koko: 1Mb (128K x 8), Kellotaajuus: 108MHz,

FM24V02-GTR

osa: 8813

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FRAM, Teknologia: FRAM (Ferroelectric RAM), Muistin koko: 256Kb (32K x 8), Kellotaajuus: 3.4MHz,

S25FS512SAGNFB010

osa: 8269

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 512Mb (64M x 8), Kellotaajuus: 133MHz,

CY14E256Q1A-SXI

osa: 229

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: NVSRAM, Teknologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Muistin koko: 256Kb (32K x 8), Kellotaajuus: 40MHz,

CY14E256Q2A-SXI

osa: 1436

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: NVSRAM, Teknologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Muistin koko: 256Kb (32K x 8), Kellotaajuus: 40MHz,

S26KL256SDABHN030

osa: 6631

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 256Mb (32M x 8), Kellotaajuus: 100MHz,

FM25V20-DG

osa: 9960

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FRAM, Teknologia: FRAM (Ferroelectric RAM), Muistin koko: 2Mb (256K x 8), Kellotaajuus: 40MHz,

S29GL01GP11TFIR10

osa: 292

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 1Gb (128M x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 110ns,

FM23MLD16-60-BG

osa: 8984

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FRAM, Teknologia: FRAM (Ferroelectric RAM), Muistin koko: 8Mb (512K x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 115ns,

S34ML04G100TFB003

osa: 4014

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 4Gb (512M x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 25ns,

S70FS01GSDSBHB210

osa: 5225

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 1Gb (128M x 8), Kellotaajuus: 80MHz,

S25FL129P0XNFI013

osa: 66

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 128Mb (16M x 8), Kellotaajuus: 104MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5µs, 3ms,

S29PL064J70BFI120

osa: 9318

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 64Mb (4M x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 70ns,

S34ML04G100TFI003

osa: 673

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 4Gb (512M x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 25ns,

S29PL032J70BAI122

osa: 500

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 32Mb (2M x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 70ns,

S29GL01GT12DHN020

osa: 5797

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 1Gb (128M x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 60ns,

S29GL512P10TFIR10

osa: 384

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 512Mb (32M x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 100ns,

FM25V20-GTR

osa: 8991

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FRAM, Teknologia: FRAM (Ferroelectric RAM), Muistin koko: 2Mb (256K x 8), Kellotaajuus: 40MHz,

FM25V20-PG

osa: 9035

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FRAM, Teknologia: FRAM (Ferroelectric RAM), Muistin koko: 2Mb (256K x 8), Kellotaajuus: 40MHz,

S25FL129P0XMFI001

osa: 13260

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 128Mb (16M x 8), Kellotaajuus: 104MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5µs, 3ms,

CY7C1264XV18-366BZXC

osa: 6839

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Synchronous, QDR II+, Muistin koko: 36Mb (1M x 36), Kellotaajuus: 366MHz,

CY7C1350G-133BGXC

osa: 9170

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Synchronous, Muistin koko: 4.5Mb (128K x 36), Kellotaajuus: 133MHz,

S25FL216K0PMFI011

osa: 281

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 16Mb (2M x 8), Kellotaajuus: 65MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5ms,

S29GL01GT10TFI030

osa: 165

CY7C1570XV18-600BZXC

osa: 7003

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Synchronous, DDR II+, Muistin koko: 72Mb (2M x 36), Kellotaajuus: 600MHz,

S25FL032P0XMFI011

osa: 29519

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 32Mb (4M x 8), Kellotaajuus: 104MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5µs, 3ms,

S34ML04G100BHA003

osa: 1810

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 4Gb (512M x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 25ns,

S29GL512P11TFI020

osa: 431

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 512Mb (32M x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 110ns,

S29GL256N11FFA010

osa: 5099

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 256Mb (32M x 8, 16M x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 110ns,

CY62157EV30LL-45ZXA

osa: 6385

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 8Mb (512K x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 45ns,

FM25V20-G

osa: 8696

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FRAM, Teknologia: FRAM (Ferroelectric RAM), Muistin koko: 2Mb (256K x 8), Kellotaajuus: 40MHz,

CY7C1360C-166BZC

osa: 5243

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Synchronous, Muistin koko: 9Mb (256K x 36), Kellotaajuus: 166MHz,

S29PL032J70BAI120

osa: 421

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 32Mb (2M x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 70ns,

S29GL01GS11TFV010

osa: 5420

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 1Gb (64M x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 60ns,