Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 512Mb (64M x 8), Kellotaajuus: 100MHz,
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: NVSRAM, Teknologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Muistin koko: 1Mb (128K x 8), Kellotaajuus: 108MHz,
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: NVSRAM, Teknologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Muistin koko: 64Kb (8K x 8), Kellotaajuus: 40MHz,
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 128Mb (16M x 8), Kellotaajuus: 104MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5µs, 3ms,
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 1Gb (128M x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 60ns,
Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Synchronous, QDR II, Muistin koko: 36Mb (4M x 9), Kellotaajuus: 267MHz,
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: NVSRAM, Teknologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Muistin koko: 1Mb (128K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 25ns,
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: NVSRAM, Teknologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Muistin koko: 256Kb (32K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 25ns,
Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Muistin koko: 8Kb (1K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,
Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Synchronous, DDR II, Muistin koko: 36Mb (1M x 36), Kellotaajuus: 300MHz,
Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Synchronous, Muistin koko: 4.5Mb (256K x 18), Kellotaajuus: 100MHz,
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: NVSRAM, Teknologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Muistin koko: 4Mb (256K x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 25ns,
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 512Mb (32M x 16), Kellotaajuus: 104MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 60ns,
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: NVSRAM, Teknologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Muistin koko: 4Mb (256K x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 20ns,
Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 4Mb (256K x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 10ns,
Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Dual Port, Synchronous, Muistin koko: 2Mb (64K x 36), Kellotaajuus: 167MHz,
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FRAM, Teknologia: FRAM (Ferroelectric RAM), Muistin koko: 2Mb (256K x 8), Kellotaajuus: 40MHz,
Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Synchronous, DDR II, Muistin koko: 72Mb (4M x 18), Kellotaajuus: 250MHz,
Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Synchronous, QDR II, Muistin koko: 144Mb (8M x 18), Kellotaajuus: 300MHz,
Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Synchronous, Muistin koko: 72Mb (2M x 36), Kellotaajuus: 133MHz,
Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Muistin koko: 16Kb (2K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 25ns,
Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Muistin koko: 64Kb (8K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 55ns,
Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Synchronous, DDR II, Muistin koko: 36Mb (2M x 18), Kellotaajuus: 250MHz,
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 32Mb (4M x 8), Kellotaajuus: 108MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 3ms,
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 64Mb (4M x 16), Kellotaajuus: 108MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 60ns,
Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Synchronous, Muistin koko: 9Mb (256K x 36), Kellotaajuus: 133MHz,
Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Synchronous, Muistin koko: 9Mb (256K x 36), Kellotaajuus: 166MHz,
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: NVSRAM, Teknologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Muistin koko: 256Kb (32K x 8), Kellotaajuus: 3.4MHz,
Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Synchronous, QDR, Muistin koko: 18Mb (1M x 18), Kellotaajuus: 167MHz,
Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Muistin koko: 64Kb (8K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: NVSRAM, Teknologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Muistin koko: 64Kb (8K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 35ns,
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 1Gb (128M x 8), Kellotaajuus: 80MHz,
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 1Gb (64M x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 45ns,
Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: NVSRAM, Teknologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Muistin koko: 1Mb (128K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 35ns,
