Muisti

S29PL127J70BAI020

osa: 7324

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 128Mb (8M x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 70ns,

VLK-580940331

osa: 7372

S34ML02G200BHA003

osa: 11235

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 2Gb (256M x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 25ns,

S25FL032P0XNFV003M

osa: 3009

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 32Mb (4M x 8), Kellotaajuus: 104MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5µs, 3ms,

S70GL02GP12FFI023

osa: 9256

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 2Gb (256M x 8, 128M x 16),

IS29GL01GS-11DHV013

osa: 9109

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 1Gb (128M x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 60ns,

IS29GL128S-10DHV023

osa: 638

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 128Mb (16M x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 60ns,

QMPGL01GP12TFI010

osa: 2037

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 1Gb (128M x 8),

S34ML08G201TFV003

osa: 5166

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 8Gb (1G x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 25ns,

IS29GL256S-10DHB020

osa: 5969

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 256Mb (32M x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 60ns,

S25FL032P0XNFI000M

osa: 332

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 32Mb (4M x 8), Kellotaajuus: 104MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5µs, 3ms,

IS29GL512S-11DHV013

osa: 6307

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 512Mb (64M x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 60ns,

FM25L04B-GA4

osa: 1741

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FRAM, Teknologia: FRAM (Ferroelectric RAM), Muistin koko: 4Kb (512 x 8),

CY7C1051DV33-10BAXIT

osa: 4185

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 8Mb (512K x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 10ns,

CY7C1069AV33-1XW14

osa: 2771

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 16Mb (2M x 8),

QMP29GL512P10FFI010

osa: 1769

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 512Mb (32M x 16),

IS29GL256S-10TFV013

osa: 6020

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 256Mb (32M x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 60ns,

S34MS02G104BHB013

osa: 9504

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 2Gb (128M x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 45ns,

S99FL164KBIS0

osa: 3584

IS29GL01GS-11DHB01

osa: 7378

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 1Gb (128M x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 60ns,

S99GL512P10TFIR20

osa: 2453

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 512Mb (32M x 16),

S99FL132KMM43

osa: 7128

S29GL512P10TFIR10D

osa: 5573

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 512Mb (32M x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 100ns,

S29WS512R0SBHW000

osa: 3879

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 512Mb (32M x 16), Kellotaajuus: 104MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 60ns,

S29GL512P11TFIV20

osa: 5692

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 512Mb (32M x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 110ns,

S25FL132K0XMFN010

osa: 3688

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 32Mb (4M x 8), Kellotaajuus: 108MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 3ms,

IS29GL01GS-11DHB020

osa: 6543

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 1Gb (128M x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 60ns,

QMP29GL512P11TAI010

osa: 9248

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 512Mb (32M x 16),

S25FL032P0XNFI010M

osa: 2891

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 32Mb (4M x 8), Kellotaajuus: 104MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 5µs, 3ms,

S70GL02GP12FFI022

osa: 2262

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 2Gb (256M x 8, 128M x 16),

V29GL01GP11FFIR20

osa: 2577

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 1Gb (128M x 8),

S99GL01GP0609

osa: 5709

CY62167G18-55BVXIT

osa: 4471

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 16Mb (2M x 8, 1M x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 55ns,

QMP29GL512P10TFIR20D

osa: 1780

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 512Mb (32M x 16),

QMP29GL512P10TAI010

osa: 1776

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 512Mb (32M x 16),

CG8249AA

osa: 2703