Muisti

CY7C1370KV33-167AXIT

osa: 3430

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Synchronous, Muistin koko: 18Mb (512K x 36), Kellotaajuus: 167MHz,

IS29GL256S-10TFV01-TR

osa: 7806

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 256Mb (32M x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 60ns,

CY7C1051H30-10BV1XET

osa: 3886

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 8Mb (512K x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 10ns,

CG8256AAT

osa: 312

S70GL02GS12FHVV20

osa: 8327

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 2Gb (128M x 16),

CG8405AAT

osa: 2128

S30ML02GP30TFI500L

osa: 1309

CG8213AA

osa: 79

IS29GL256S-10DHV01

osa: 7779

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 256Mb (32M x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 60ns,

CY7C1313KV18-250BZXC

osa: 3397

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Synchronous, QDR II, Muistin koko: 18Mb (1M x 18), Kellotaajuus: 250MHz,

CG8199AA

osa: 9978

CY7C1380KV33-167AXCT

osa: 3579

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Synchronous, Muistin koko: 18Mb (512K x 36), Kellotaajuus: 167MHz,

S70GL0BGT00FHCR00

osa: 1403

S25FL128LAGBHB033

osa: 8392

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 128Mb (16M x 8), Kellotaajuus: 133MHz,

S29WS512P0SBFW0002

osa: 158

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 512Mb (32M x 16), Kellotaajuus: 80MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 60ns,

S34ML08G101BHB000

osa: 2833

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NAND, Muistin koko: 8Gb (1G x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 25ns,

CG8404AAT

osa: 1823

CG8097AAT

osa: 2279

CG8717AA

osa: 11940

CG8213AAT

osa: 49

S25FL128P0XMFI003S

osa: 947

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 128Mb (16M x 8), Kellotaajuus: 104MHz, Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 3µs,

CG8247AAT

osa: 244

S99-50055-03

osa: 1393

IS29GL512S-11TFV01-TR

osa: 7946

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 512Mb (64M x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 60ns,

CG8318AA

osa: 2128

CY14B104NA-ZSP25XIT

osa: 3814

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: NVSRAM, Teknologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Muistin koko: 4Mb (256K x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 25ns,

CY62167EV30LL-45ZXI

osa: 3986

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 16Mb (2M x 8, 1M x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 45ns,

CY7C1370KV25-167AXCT

osa: 3390

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Synchronous, Muistin koko: 18Mb (512K x 36), Kellotaajuus: 167MHz,

IS29GL128S-10TFV01

osa: 777

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 128Mb (16M x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 60ns,

CG8244AAT

osa: 175

CG8333AM

osa: 465

CG7925AMT

osa: 598

CG8364AMT

osa: 568

CG7884AA

osa: 752

CG8014AAT

osa: 2104

MSP14LV160-E1-GJ-001

osa: 840