Muisti

CY7C1069GN30-10BVXI

osa: 2347

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 16Mb (2M x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 10ns,

S40135MM270B0S010

osa: 310

CY7C1371KV33-133AXC

osa: 2559

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Synchronous, Muistin koko: 18Mb (512K x 36), Kellotaajuus: 133MHz,

CY7C1062GE30-10BGXIT

osa: 2606

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 16Mb (512K x 32), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 10ns,

CY7C1061GE-10ZSXIT

osa: 2965

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 16Mb (1M x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 10ns,

CY7C1061G-10ZXIT

osa: 2908

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 16Mb (1M x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 10ns,

CY7C1382KV33-167AXC

osa: 2486

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Synchronous, Muistin koko: 18Mb (1M x 18), Kellotaajuus: 167MHz,

CY7C1059DV33-12ZSXQT

osa: 89

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 8Mb (1M x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 12ns,

CY14B101LA-SP25XI

osa: 2648

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: NVSRAM, Teknologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Muistin koko: 1Mb (128K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 25ns,

CY7C1061G18-15BVJXIT

osa: 2971

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 16Mb (1M x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 15ns,

CY7C1371KV33-100AXI

osa: 2494

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Synchronous, Muistin koko: 18Mb (512K x 36), Kellotaajuus: 100MHz,

S29PL032J70BFI120A

osa: 4641

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 32Mb (2M x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 70ns,

CY7C1372KV33-167AXI

osa: 2799

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Synchronous, Muistin koko: 18Mb (1M x 18), Kellotaajuus: 167MHz,

STK14C88B-NF35UTR

osa: 1236

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: NVSRAM, Teknologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Muistin koko: 256Kb (32K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 35ns,

S99AL008D

osa: 600

CY7C1312LV18-250BZXC

osa: 154

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Synchronous, QDR II, Muistin koko: 18Mb (1M x 18), Kellotaajuus: 250MHz,

CY7C1069GE30-10ZSXIT

osa: 2961

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 16Mb (2M x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 10ns,

CY7C1069G-10BVXI

osa: 2771

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 16Mb (2M x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 10ns,

CY14B104K-ZS25XI

osa: 2992

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: NVSRAM, Teknologia: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Muistin koko: 4Mb (512K x 8), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 25ns,

CG8211AA

osa: 1208

QMP29GL064A90TFIR20H

osa: 5023

CY7C1061G-10BVXIT

osa: 2978

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 16Mb (1M x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 10ns,

S29WS128N0SBFW010

osa: 175

S98WS512N0GFW0180G

osa: 498

CY7C1393KV18-300BZXC

osa: 2713

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Synchronous, DDR II, Muistin koko: 18Mb (1M x 18), Kellotaajuus: 300MHz,

S99PL064J0030

osa: 6045

CY14B104LA-ZS25XIT

osa: 3035

CY7C1314KV18-250BZXC

osa: 2656

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Synchronous, QDR II, Muistin koko: 18Mb (512K x 36), Kellotaajuus: 250MHz,

S29PL127J60TFID30H

osa: 6270

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 128M (8M x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 60ns,

S29WS128N0SBAW013

osa: 145

S29PL032J55BFI120A

osa: 6021

Muistityyppi: Non-Volatile, Muistin muoto: FLASH, Teknologia: FLASH - NOR, Muistin koko: 32Mb (2M x 16), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 55ns,

CY14B104M-ZSP25XI

osa: 2993

S29WS128N0PBAW010

osa: 10017

S99FL008A0LMFI001

osa: 644

CY7C107D-10VXIT

osa: 2931

Muistityyppi: Volatile, Muistin muoto: SRAM, Teknologia: SRAM - Asynchronous, Muistin koko: 1Mb (1M x 1), Kirjoita syklin aika - sana, sivu: 10ns,

S29WS128N0SBAW010

osa: 166