Menu
SuomiSuomi
RFQS / Tilaus
0RFQS / Tilaus

Diodit - sillan tasasuuntaajat

  • Koti
  •  
  • Diodit - sillan tasasuuntaajat
CDBHM2100L-HF
Comchip Technology

CDBHM2100L-HF

osa: 171064

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Schottky, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 100V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 850mV @ 2A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 1mA @ 100V,

Toivomuslista
TB6S-G
Comchip Technology

TB6S-G

osa: 159489

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 800mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 950mV @ 400mA, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 600V,

Toivomuslista
MB10M-G
Comchip Technology

MB10M-G

osa: 136237

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 800mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 800mA, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 1000V,

Toivomuslista
CDBHM260L-HF
Comchip Technology

CDBHM260L-HF

osa: 177354

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Schottky, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 60V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 700mV @ 2A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 1mA @ 60V,

Toivomuslista
KBU1010-G
Comchip Technology

KBU1010-G

osa: 43636

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 10A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 1000V,

Toivomuslista
DF204ST-G
Comchip Technology

DF204ST-G

osa: 160942

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 2A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 400V,

Toivomuslista
DF206ST-G
Comchip Technology

DF206ST-G

osa: 106933

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 600V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 2A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 600V,

Toivomuslista
GBJ2010-G
Comchip Technology

GBJ2010-G

osa: 82856

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 10A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 1000V,

Toivomuslista
TB4S-G
Comchip Technology

TB4S-G

osa: 196220

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 800mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 950mV @ 400mA, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 400V,

Toivomuslista
CDBHM140L-HF
Comchip Technology

CDBHM140L-HF

osa: 161946

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Schottky, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 1A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 550mV @ 1A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 500µA @ 40V,

Toivomuslista
CDBHM240L-HF
Comchip Technology

CDBHM240L-HF

osa: 135718

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Schottky, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 40V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 550mV @ 2A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 1mA @ 40V,

Toivomuslista
GBJ2004-G
Comchip Technology

GBJ2004-G

osa: 84335

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 400V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 20A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.05V @ 10A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 400V,

Toivomuslista
DF210S-G
Comchip Technology

DF210S-G

osa: 111005

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 2A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 2A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 1000V,

Toivomuslista
MB05M-G
Comchip Technology

MB05M-G

osa: 105590

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 50V, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 800mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1.1V @ 800mA, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 5µA @ 50V,

Toivomuslista
TB10S-G
Comchip Technology

TB10S-G

osa: 8825

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 800mA, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 950mV @ 400mA, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 1000V,

Toivomuslista
RS507-G
Comchip Technology

RS507-G

osa: 92698

Diodityyppi: Single Phase, Teknologia: Standard, Jännite - huippu taaksepäin (maks.): 1kV, Nykyinen - keskimääräinen puhdistettu (Io): 5A, Jännite - eteenpäin (Vf) (maks.) @ Jos: 1V @ 5A, Nykyinen - käänteinen vuoto @ Vr: 10µA @ 1000V,

Toivomuslista