Optiset anturit - heijastavat - analoginen lä

CNB13020S

osa: 2734

Tunnistusetäisyys: 0.039" (1mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Tulostyyppi: Phototransistor,

GP2S60A

osa: 2778

Tunnistusetäisyys: 0.028" (0.7mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 35V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Tulostyyppi: Phototransistor,

GP2S27T3J00F

osa: 2727

Tunnistusetäisyys: 0.028" (0.7mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 35V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Tulostyyppi: Phototransistor,

GP2S24

osa: 4283

Tunnistusetäisyys: 0.031" (0.8mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 35V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Tulostyyppi: Phototransistor,

GP2L24BCJ00F

osa: 2763

Tunnistusetäisyys: 0.028" (0.7mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 35V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Tulostyyppi: Photodarlington,

GP2L24BJ00F

osa: 2769

Tunnistusetäisyys: 0.028" (0.7mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 35V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Tulostyyppi: Photodarlington,

GP2S28

osa: 2729

Tunnistusetäisyys: 0.551" (14mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 35V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 60mA, Tulostyyppi: Phototransistor,

OPB755TZ

osa: 12878

Tunnistusetäisyys: 0.220" (5.59mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 24V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Tulostyyppi: Phototransistor,

OPB744W

osa: 2774

Tunnistusetäisyys: 0.150" (3.81mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 40mA, Tulostyyppi: Phototransistor,

OPB706A

osa: 39866

Tunnistusetäisyys: 0.050" (1.27mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 24V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 25mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Tulostyyppi: Phototransistor,

OPB743W

osa: 4313

Tunnistusetäisyys: 0.150" (3.81mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 40mA, Tulostyyppi: Phototransistor,

OPB739RWZ

osa: 5303

Tunnistusetäisyys: 0.015" ~ 0.045" (0.38mm ~ 1.14mm) ADJ, Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 40mA, Tulostyyppi: Phototransistor,

OPB740W

osa: 4359

Tunnistusetäisyys: 0.150" (3.81mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 40mA, Tulostyyppi: Phototransistor,

OPB712

osa: 27713

Tunnistusetäisyys: 0.080" (2.03mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 15V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 125mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Tulostyyppi: Photodarlington,

OPB703WZ

osa: 21166

Tunnistusetäisyys: 0.150" (3.81mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 25mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 40mA, Tulostyyppi: Phototransistor,

OPR5005TR

osa: 23833

Tunnistusetäisyys: 0.050" (1.27mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 25mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Tulostyyppi: Phototransistor,

OPB732

osa: 20066

Tunnistusetäisyys: 3" (76.2mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Tulostyyppi: Phototransistor,

SFH 7070

osa: 61573

Tunnistusmenetelmä: Reflective, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 25mA, Tulostyyppi: Photodiode,

RPR-220UC30N

osa: 27157

Tunnistusetäisyys: 0.236" (6mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 30mA, Tulostyyppi: Phototransistor,

EE-SY113

osa: 12359

Tunnistusetäisyys: 0.173" (4.4mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Tulostyyppi: Phototransistor,

EE-SY125

osa: 2778

Tunnistusetäisyys: 0.039" (1mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Tulostyyppi: Phototransistor,

EE-SY171

osa: 18679

Tunnistusetäisyys: 0.138" (3.5mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Tulostyyppi: Phototransistor,

EE-SY169

osa: 3710

Tunnistusetäisyys: 0.157" (4mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 40mA, Tulostyyppi: Phototransistor,

MTRS1070

osa: 15471

Tunnistusetäisyys: 1.5mm, Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 20V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Tulostyyppi: Phototransistor,

MTRS4720D

osa: 13002

Tunnistusetäisyys: 1.5mm, Tunnistusmenetelmä: Reflective, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 20mA, Tulostyyppi: Photodiode,

EAITRCA6

osa: 10294

Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 35V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Tulostyyppi: Phototransistor,

ITR8307/L24

osa: 194894

Tunnistusetäisyys: 0.039" (1mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 50mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Tulostyyppi: Phototransistor,

GP2S700HCP

osa: 51616

Tunnistusetäisyys: 0.217" (5.5mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 35V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Tulostyyppi: Phototransistor,

HOA1397-001

osa: 11854

Tunnistusetäisyys: 0.05" (1.27mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 20mA, Tulostyyppi: Phototransistor,

HOA0708-011

osa: 10491

Tunnistusetäisyys: 0.15" (3.8mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 15V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 40mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Tulostyyppi: Phototransistor,

HOA1180-001

osa: 3479

Tunnistusetäisyys: 0.250" (6.35mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 15V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 30mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Tulostyyppi: Photodarlington,

QRE1113

osa: 57727

Tunnistusetäisyys: 0.197" (5mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Tulostyyppi: Phototransistor,

TALP3001

osa: 2764

LTH-209-01

osa: 106253

Tunnistusetäisyys: 0.125" (3.18mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 30V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 50mA, Tulostyyppi: Phototransistor,

KU163C-TR

osa: 2739

Tunnistusetäisyys: 0.039" (1mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 20V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 20mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 20mA, Tulostyyppi: Phototransistor,

TCRT5000

osa: 58184

Tunnistusetäisyys: 0.591" (15mm), Tunnistusmenetelmä: Reflective, Jännite - keräimen emitterin jakautuminen (maks.): 70V, Virta - Kerääjä (Ic) (Max): 100mA, Virta - tasavirta eteenpäin (jos) (maks.): 60mA, Tulostyyppi: Phototransistor,