Ydintyyppi: P (Pot Core), Induktanssikerroin (Al): 15.2µH, Toleranssi: -20%, +30%, Aukko: N30, Tehokas läpäisevyys (µe): 36.00mm, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): P 36 x 22,
Ydintyyppi: Toroid, Induktanssikerroin (Al): 900nH, Toleranssi: ±25%, Aukko: K10, Tehokas läpäisevyys (µe): 102.00mm, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): R 102 x 65.8 x 15,
Ydintyyppi: Toroid, Induktanssikerroin (Al): 1.4µH, Toleranssi: ±25%, Aukko: K10, Tehokas läpäisevyys (µe): 50.00mm, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): R 50 x 30 x 20,
Ydintyyppi: Toroid, Induktanssikerroin (Al): 12µH, Toleranssi: ±25%, Aukko: T37, Tehokas läpäisevyys (µe): 50.00mm, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): R 50 x 30 x 20,
Ydintyyppi: P (Pot Core), Induktanssikerroin (Al): 400nH, Toleranssi: ±5%, Aukko: N48, Tehokas läpäisevyys (µe): 11.30mm, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): P 11 x 7,
Ydintyyppi: P (Pot Core), Induktanssikerroin (Al): 250nH, Toleranssi: ±3%, Aukko: N48, Tehokas läpäisevyys (µe): 11.30mm, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): P 11 x 7,
Ydintyyppi: P (Pot Core), Induktanssikerroin (Al): 100nH, Toleranssi: ±3%, Aukko: N48, Tehokas läpäisevyys (µe): 11.30mm, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): P 11 x 7,
Ydintyyppi: P (Pot Core), Induktanssikerroin (Al): 630nH, Toleranssi: ±3%, Aukko: N48, Tehokas läpäisevyys (µe): 30.50mm, Alkuperäinen läpäisevyys (µi): P 30 x 19,